[發(fā)明專利]用于改善圖像傳感器串?dāng)_的方法和結(jié)構(gòu)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011577964.4 | 申請日: | 2020-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN113053933A | 公開(公告)日: | 2021-06-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉遠良;B·潘;毛杜利;A·博納克達 | 申請(專利權(quán))人: | 豪威科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 劉媛媛 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 改善 圖像傳感器 方法 結(jié)構(gòu) | ||
本申請涉及用于改善圖像傳感器串?dāng)_的方法和結(jié)構(gòu)。圖像傳感器包含襯底材料,所述襯底材料具有設(shè)置在其中的多個小光電二極管SPD和多個大光電二極管LPD。在所述襯底材料中形成多個像素隔離器,每個像素隔離器設(shè)置在所述SPD中的一個與所述LPD中的一個之間。鈍化層設(shè)置在所述襯底材料上,并且緩沖層設(shè)置在所述鈍化層上。多個第一金屬元件設(shè)置在所述緩沖層中,每個第一金屬元件設(shè)置在所述像素隔離器中的一個的上方,并且多個第二金屬元件設(shè)置在所述多個第一金屬元件上方。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開總體上涉及圖像傳感器,尤其涉及具有分裂像素結(jié)構(gòu)的圖像傳感器。
背景技術(shù)
圖像傳感器無處不在。圖像傳感器在數(shù)碼靜態(tài)攝像頭、蜂窩式電話、監(jiān)控攝像頭、以及醫(yī)療、汽車及其它應(yīng)用中廣泛使用。具有分裂像素結(jié)構(gòu)的圖像傳感器具有不同尺寸的光電二極管,這有利地實現(xiàn)了改善的成像,例如,高動態(tài)范圍(HDR)感測。
發(fā)明內(nèi)容
本公開的一個方面提供了一種圖像傳感器,其中所述圖像傳感器包括:襯底材料,其中所述襯底材料包含設(shè)置在其中的多個小光電二極管(SPD)和多個大光電二極管(LPD),每個LPD具有第一全井容量,所述第一全井容量大于每個SPD的第二全井容量;多個像素隔離器,所述多個像素隔離器形成在所述襯底材料中,每個像素隔離器設(shè)置在所述SPD中的一個與所述LPD中的一個之間;鈍化層,所述鈍化層設(shè)置在所述襯底材料上;緩沖層,所述緩沖層設(shè)置在所述鈍化層上;多個第一金屬元件,所述多個第一金屬元件設(shè)置在所述緩沖層中,每個第一金屬元件設(shè)置在所述像素隔離器中的一個的上方;以及多個第二金屬元件,所述多個第二金屬元件設(shè)置在所述多個第一金屬元件上方。
本公開的另一方面提供了一種制造圖像傳感器的方法,其中所述方法包括:在具有多個大光電二極管(LPD)和多個小光電二極管(SPD)的襯底材料中形成多個像素隔離器,每個LPD具有第一全井容量,所述第一全井容量大于每個SPD的第二全井容量,每個像素隔離器設(shè)置在所述SPD中的一個與所述LPD中的一個之間;在所述襯底材料上形成鈍化層;在所述鈍化層上形成緩沖層;通過從所述緩沖層中去除材料而在所述緩沖層中形成多個開口,所述開口中的每一個設(shè)置在所述像素隔離器中的一個的上方;形成多個第一金屬元件,包含通過將第一金屬層沉積到所述緩沖層中的所述多個開口中;以及形成多個第二金屬元件,包含通過將第二金屬層沉積在所述第一金屬層上方。
附圖說明
參考以下圖式描述本發(fā)明的非限制且非詳盡實施例,其中除非另有說明,否則相同的附圖標(biāo)記在各個視圖中指代相同部件。
圖1示出了根據(jù)本公開的教導(dǎo)的代表性圖像傳感器。
圖2示出了根據(jù)本公開的教導(dǎo)的代表性圖像傳感器的示例性橫截面視圖。
圖3示出了根據(jù)本公開的教導(dǎo)的另一個代表性圖像傳感器的示例性橫截面視圖。
圖4示出了根據(jù)本公開的教導(dǎo)的另一個代表性圖像傳感器的示例性橫截面視圖。
圖5示出了根據(jù)本公開的教導(dǎo)的另一個代表性圖像傳感器的示例性橫截面視圖。
圖6是示出根據(jù)本公開的教導(dǎo)的具有像素陣列的代表性成像系統(tǒng)的圖式。
圖7至圖13示出了根據(jù)本公開的教導(dǎo)的制造代表性圖像傳感器的代表性方法。
圖14示出了根據(jù)本公開的教導(dǎo)的制造代表性圖像傳感器的方法的代表性流程圖。
具體實施方式
本公開提供了圖像傳感器、裝置以及用于制造圖像傳感器的方法。在以下描述中,陳述眾多特定細節(jié)以提供對實例的詳盡理解。然而,所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將認識到,可在沒有所述具體細節(jié)中的一或多種的情況下實施或以其它方法、部件、材料等等實踐本文中描述的技術(shù)。在其它實例中,未展示或詳細描述眾所周知的結(jié)構(gòu)、材料或操作以避免模糊某些方面。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





