[發明專利]一種離子植入機及離子植入系統

在審

• 申請號: 202011577908.0
• 申請日: 2020-12-28
• 公開（公告）號: CN112701026A
• 公開（公告）日: 2021-04-23
• 發明（設計）人: 蔡裕棠
• 申請（專利權）人: 泉芯集成電路制造（濟南）有限公司
• 主分類號: H01J37/317
• 分類號: H01J37/317;H01J37/30
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱宗力

本發明提供了一種離子植入機及離子植入系統，在絕緣側壁朝向真空腔體一側裸露面形成防粘涂層，由于防粘涂層與反應氣體的附著力小于絕緣側壁朝向真空腔體一側表面與反應氣體的附著力，進而能夠降低真空腔體中反應氣體附著于防粘涂層表面的幾率，降低由于反應氣體附著而導致導電基底和導電外殼之間電連通的情況，提高了離子植入機的使用壽命和性能。

技術領域

本發明涉及半導體設備技術領域，更為具體地說，涉及一種離子植入機及離子植入系統。

背景技術

目前，離子植入機廣泛應用于半導體器件的生產制造，能夠通過在晶圓中摻雜少量雜質，使得晶圓的結構和導電率發生改變，通常摻入的雜質為IIIA族和VA族的元素。離子植入機通過離子源結構產生特定價態的等離子體，并形成離子束，離子束經過選擇和加速最終轟擊到晶圓上，從而實現特定離子的植入。具體的，離子植入過程中，需要將待處理的晶圓裝載固定，并傳送至離子源所發射的離子束所覆蓋的區域內，離子束的運動方向朝向晶圓的表面，以將離子植入至晶圓的表面。待離子植入后，將晶圓傳送至離子束所覆蓋的區域外，卸下晶圓，并將下一待處理的晶圓裝載固定，傳送至離子束所覆蓋的區域內。往復循環，以實現對多個晶圓的離子植入。但是，現有的離子植入機的使用壽命較低。

發明內容

有鑒于此，本發明提供了一種離子植入機及離子植入系統，有效地解決了現有技術存在的技術問題，提高了離子植入機的使用壽命和性能。

為實現上述目的，本發明提供的技術方案如下：

一種離子植入機，包括：

由導電基底和導電外殼組成的真空腔體，所述導電基底與所述導電外殼之間通過設置有絕緣側壁相隔離，所述絕緣側壁朝向所述真空腔體一側裸露面形成有防粘涂層，所述防粘涂層與反應氣體的附著力小于所述絕緣側壁朝向所述真空腔體一側表面與所述反應氣體的附著力；

設置于所述導電基底的離子源，所述離子源用于在所述真空腔體內產生離子束；

以及，與所述導電外殼電連接且設置于所述離子束路徑上的萃取電極，所述導電基底接入電源的正極，且所述導電外殼接入所述電源的負極。

可選的，所述防粘涂層為納米陶瓷涂層。

可選的，所述防粘涂層為特氟龍涂層。

可選的，所述絕緣側壁背離所述真空腔體一側還呈鋸齒狀。

可選的，所述絕緣側壁為電木絕緣側壁。

可選的，所述導電基底和所述導電外殼為金屬材質。

相應的，本發明還提供了一種離子植入系統，所述離子植入系統包括上述的離子植入機。

相較于現有技術，本發明提供的技術方案至少具有以下優點：

本發明提供了一種離子植入機及離子植入系統，包括：由導電基底和導電外殼組成的真空腔體，所述導電基底與所述導電外殼之間通過設置有絕緣側壁相隔離，所述絕緣側壁朝向所述真空腔體一側裸露面形成有防粘涂層，所述防粘涂層與反應氣體的附著力小于所述絕緣側壁朝向所述真空腔體一側表面與所述反應氣體的附著力；設置于所述導電基底的離子源，所述離子源用于在所述真空腔體內產生離子束；以及，與所述導電外殼電連接且設置于所述離子束路徑上的萃取電極，所述導電基底接入電源的正極，且所述導電外殼接入所述電源的負極。

由上述內容可知，本發明提供的技術方案，在絕緣側壁朝向真空腔體一側裸露面形成防粘涂層，由于防粘涂層與反應氣體的附著力小于絕緣側壁朝向真空腔體一側表面與反應氣體的附著力，進而能夠降低真空腔體中反應氣體附著于防粘涂層表面的幾率，降低由于反應氣體附著而導致導電基底和導電外殼之間電連通的情況，提高了離子植入機的使用壽命和性能。

附圖說明