[發明專利]改善的前觸點異質結工藝

在審

• 申請號: 202011577374.1
• 申請日: 2015-08-31
• 公開（公告）號: CN112701170A
• 公開（公告）日: 2021-04-23
• 發明（設計）人: 大衛·D·史密斯
• 申請（專利權）人: 太陽能公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/0368;H01L31/068;H01L31/0745;H01L31/0747;H01L31/075;H01L31/18
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 張娜;李榮勝

1.一種太陽能電池，包括：

半導體基板，所述半導體基板具有第一光接收表面和第二光接收表面；

隧道介電層，所述隧道介電層具有設置在所述第一光接收表面上的部分，并且具有設置在所述第二光接收表面上的部分；

設置在所述隧道介電層的設置于所述第一光接收表面上的部分上的N型多晶硅層、以及設置在所述半導體基板中靠近所述N型多晶硅層的相應N型擴散區；

設置在所述隧道介電層的設置于所述第二光接收表面上的部分上的P型多晶硅層、以及設置在所述半導體基板中靠近所述P型多晶硅層的相應P型擴散區；

透明的導電氧化物層，所述透明的導電氧化物層具有設置在所述N型多晶硅層上的部分和設置在所述P型多晶硅層上的部分；

設置在所述透明的導電氧化物層的設置于所述N型多晶硅層上的部分上的第一組導電觸點；以及

設置在所述透明的導電氧化物層的設置于所述P型多晶硅層上的部分上的第二組導電觸點，

其中對應的第一組導電觸點和第二組導電觸點中的每一個具有底面，整個所述底面僅與所述透明的導電氧化物層直接物理接觸，而不與對應的N型多晶硅層或P型多晶硅層直接物理接觸，并且不與所述半導體基板直接物理接觸。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池，其中所述N型多晶硅層包括晶界，并且其中所述P型多晶硅層包括晶界。

3.根據權利要求1所述的太陽能電池，其中所述第一光接收表面和所述第二光接收表面中的一者或兩者被紋理化。

4.根據權利要求1所述的太陽能電池，其中所述透明的導電氧化物層是氧化銦錫(ITO)層。

5.根據權利要求1所述的太陽能電池，其中所述半導體基板是單晶硅基板，并且其中所述隧道介電層是氧化硅層。

6.一種太陽能電池，包括：

半導體基板，所述半導體基板具有第一光接收表面和第二光接收表面；

隧道介電層，所述隧道介電層具有設置在所述第一光接收表面上的部分，并且具有設置在所述第二光接收表面上的部分；

設置在所述隧道介電層的設置于所述第一光接收表面上的部分上的N型多晶硅層、以及設置在所述半導體基板中靠近所述N型多晶硅層的相應N型擴散區；

設置在所述隧道介電層的設置于所述第二光接收表面上的部分上的P型多晶硅層；

透明的導電氧化物層，所述透明的導電氧化物層具有設置在所述N型多晶硅層上的部分和設置在所述P型多晶硅層上的部分；

設置在所述透明的導電氧化物層的設置于所述N型多晶硅層上的部分上的第一組導電觸點；以及

設置在所述透明的導電氧化物層的設置于所述P型多晶硅層上的部分上的第二組導電觸點，

其中對應的第一組導電觸點和第二組導電觸點中的每一個具有底面，整個所述底面僅與所述透明的導電氧化物層直接物理接觸，而不與對應的N型多晶硅層或P型多晶硅層直接物理接觸，并且不與所述半導體基板直接物理接觸。

7.根據權利要求6所述的太陽能電池，其中所述N型多晶硅層包括晶界，并且其中所述P型多晶硅層包括晶界。

8.根據權利要求6所述的太陽能電池，其中所述第一光接收表面和所述第二光接收表面中的一者或兩者被紋理化。

9.根據權利要求6所述的太陽能電池，其中所述透明的導電氧化物層是氧化銦錫(ITO)層。

10.根據權利要求6所述的太陽能電池，其中所述半導體基板是單晶硅基板，并且其中所述隧道介電層是氧化硅層。