[發(fā)明專利]器件轉(zhuǎn)移方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011576856.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112701077A | 公開(公告)日: | 2021-04-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 潘章旭;龔政;郭嬋;龔巖芬;劉久澄;王建太;胡詩犇;龐超;陳志濤 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 |
| 主分類號(hào): | H01L21/683 | 分類號(hào): | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 嚴(yán)誠 |
| 地址: | 510651 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 器件 轉(zhuǎn)移 方法 | ||
本申請(qǐng)公開了一種器件轉(zhuǎn)移方法,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。本申請(qǐng)的器件轉(zhuǎn)移方法,利用水解膠層將第一襯底上的器件粘下來,然后將粘下來的器件貼合在第二襯底的粘附層上,以使水解膠層上粘附的器件與粘附層粘合,該粘附層具有不被水溶解和解粘的性質(zhì)。最后將粘合于一體的臨時(shí)襯底、第二襯底以及器件放入水中,水解膠層遇水溶解,臨時(shí)襯底剝落,得到粘附有器件的第二襯底,完成器件的轉(zhuǎn)移。本申請(qǐng)?zhí)峁┑钠骷D(zhuǎn)移方法利用水解膠作為轉(zhuǎn)移粘附劑,可在轉(zhuǎn)移后被完全清除,解決部分器件殘留在臨時(shí)襯底上的問題,提高了轉(zhuǎn)移良率。并且水解膠可在臨時(shí)襯底上大面積涂覆,能夠?qū)崿F(xiàn)大面積巨量轉(zhuǎn)移,從而提高了器件轉(zhuǎn)移效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,具體而言,涉及器件轉(zhuǎn)移方法。
背景技術(shù)
現(xiàn)今尚無成熟且商業(yè)化的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)路線,現(xiàn)有的有機(jī)物印章技術(shù)、卷對(duì)卷技術(shù)、流體組裝技術(shù)等都存在自身技術(shù)存在的缺點(diǎn),或是良率問題,或是效率問題。
鑒于此,特提出本申請(qǐng)。
發(fā)明內(nèi)容
本申請(qǐng)的目的在于提供一種器件轉(zhuǎn)移方法,其能夠提高器件轉(zhuǎn)移良率以及轉(zhuǎn)移效率。
本申請(qǐng)是這樣實(shí)現(xiàn)的:
第一方面,本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N器件轉(zhuǎn)移方法,包括:
提供鋪設(shè)有水解膠層的臨時(shí)襯底;
利用所述臨時(shí)襯底上的水解膠層粘取第一襯底上的器件;
將粘附有所述器件的所述臨時(shí)襯底貼合在第二襯底的粘附層上,以使所述水解膠層上粘附的所述器件與所述粘附層粘合,所述粘附層具有不被水溶解和解粘的性質(zhì);
將粘合于一體的所述臨時(shí)襯底、所述第二襯底以及所述器件放入水中,以使所述臨時(shí)襯底剝落。
在可選的實(shí)施方式中,在利用所述臨時(shí)襯底上的水解膠層粘取第一襯底上的器件的步驟之前,所述器件轉(zhuǎn)移方法還包括:
對(duì)所述第一襯底上的所述器件進(jìn)行弱化處理,以減小所述器件與所述第一襯底之間的結(jié)合力。
在可選的實(shí)施方式中,所述提供鋪設(shè)有水解膠層的臨時(shí)襯底的步驟包括:
通過旋涂法將水解膠涂覆于所述臨時(shí)襯底的表面,形成所述水解膠層。
在可選的實(shí)施方式中,所述利用所述臨時(shí)襯底上的水解膠層粘取第一襯底上的器件的步驟,包括:
將所述臨時(shí)襯底具有所述水解膠層的一面貼合于所述第一襯底上的器件的上表面,以使所述器件粘合于所述水解膠層;
對(duì)所述臨時(shí)襯底施加外力使其遠(yuǎn)離所述第一襯底,以使所述器件從所述第一襯底上剝離。
在可選的實(shí)施方式中,所述臨時(shí)襯底的表面設(shè)置有凸臺(tái),所述凸臺(tái)上鋪設(shè)有所述水解膠層,所述利用所述臨時(shí)襯底上的水解膠層粘取第一襯底上的器件的步驟,包括:
利用所述凸臺(tái)上的所述水解膠層,選擇性地粘取所述第一襯底上的部分所述器件。
在可選的實(shí)施方式中,所述器件轉(zhuǎn)移方法還包括:
所述臨時(shí)襯底剝落后,對(duì)粘附有所述器件的所述第二襯底進(jìn)行烘干。
在可選的實(shí)施方式中,所述第一襯底為晶圓襯底。
在可選的實(shí)施方式中,所述臨時(shí)襯底的材質(zhì)包括玻璃、藍(lán)寶石、PET或PI。
在可選的實(shí)施方式中,所述器件為微器件。
在可選的實(shí)施方式中,所述器件包括微型LED、二極管、晶體管或者集成電路芯片。
本申請(qǐng)具有以下有益效果:
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所,未經(jīng)廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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