[發明專利]用于準諧振開關電源中的谷底鎖定的裝置和方法有效
| 申請號： | 202011576478.0 | 申請日： | 2020-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN112701924B | 公開（公告）日： | 2022-07-08 |
| 發明（設計）人： | 楊彭林;林元 | 申請（專利權）人： | 昂寶電子（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H02M3/335 | 分類號： | H02M3/335;H02M1/08;H02M1/44 |
| 代理公司： | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人： | 楊佳婧 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新區*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 諧振 開關電源 中的 谷底 鎖定 裝置 方法 | ||
1.一種用于準諧振開關電源中的谷底鎖定的裝置，包括：
編碼模塊，用于基于接收到的輸入信號來生成編碼信號；以及
谷底鎖定狀態生成模塊，用于基于所述編碼信號來生成所述準諧振開關電源中的功率管的谷底鎖定狀態，其中，所述谷底鎖定狀態指示所述功率管導通時所述功率管的漏極諧振電壓所處的谷底位置，并且所述谷底鎖定狀態包括：全部在第N谷底導通、部分在第N谷底導通并且部分在第N+1谷底導通、以及全部在第N+1谷底導通，其中N是正整數。
2.根據權利要求1所述的裝置，還包括：信號生成模塊，用于基于接收到的輸入信號來生成使能信號，其中，所述使能信號指示所述功率管導通時所述漏極諧振電壓所處的谷底位置的變化方向，并且其中，所述編碼模塊用于基于所述使能信號來生成所述編碼信號。
3.根據權利要求2所述的裝置，其中，所述信號生成模塊包括：
加谷底使能信號生成器，用于基于所述輸入信號來生成加谷底使能信號，其中，所述加谷底使能信號指示所述功率管導通時所述漏極諧振電壓所處的谷底位置將向后推移；以及
減谷底使能信號生成器，用于基于所述輸入信號來生成減谷底使能信號，其中，所述減谷底使能信號指示所述功率管導通時所述漏極諧振電壓所處的谷底位置將向前推移。
4.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述輸入信號包括以下項中的一者或兩者：所述準諧振開關電源的負載反饋電壓，以及所述功率管的柵極信號頻率。
5.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述功率管包括以下項之一：金屬氧化物半導體場效應晶體管MOSFET、雙極結型NPN晶體管BJT-NPN、絕緣柵雙極型晶體管IGBT、以及氮化鎵GaN晶體管。
6.一種用于準諧振開關電源中的谷底鎖定的方法，包括：
基于接收到的輸入信號來生成編碼信號；以及
基于所述編碼信號來生成所述準諧振開關電源中的功率管的谷底鎖定狀態，其中，所述谷底鎖定狀態指示所述功率管導通時所述功率管的漏極諧振電壓所處的谷底位置，并且所述谷底鎖定狀態包括：全部在第N谷底導通、部分在第N谷底導通并且部分在第N+1谷底導通、以及全部在第N+1谷底導通，其中N是正整數。
7.根據權利要求6所述的方法，其中，基于接收到的輸入信號來生成所述編碼信號包括：
基于接收到的輸入信號來生成使能信號，其中，所述使能信號指示所述功率管導通時所述漏極諧振電壓所處的谷底位置的變化方向；以及
基于所述使能信號來生成所述編碼信號。
8.根據權利要求7所述的方法，其中，基于接收到的輸入信號來生成所述使能信號包括：
基于所述輸入信號來生成加谷底使能信號和減谷底使能信號，其中，所述加谷底使能信號指示所述功率管導通時所述漏極諧振電壓所處的谷底位置將向后推移，所述減谷底使能信號指示所述功率管導通時所述漏極諧振電壓所處的谷底位置將向前推移。
9.根據權利要求6所述的方法，其中，所述輸入信號包括以下項中的一者或兩者：所述準諧振開關電源的負載反饋電壓，以及所述功率管的柵極信號頻率。
10.根據權利要求6所述的方法，其中，所述功率管包括以下項之一：金屬氧化物半導體場效應晶體管MOSFET、雙極結型NPN晶體管BJT-NPN、絕緣柵雙極型晶體管IGBT、以及氮化鎵GaN晶體管。
11.一種準諧振開關電源，包括如權利要求1-5中任一項所述的用于所述準諧振開關電源中的谷底鎖定的裝置。
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