[發明專利]一種集成多晶硅二極管的LED結構在審
| 申請號： | 202011575193.5 | 申請日： | 2020-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN112542481A | 公開（公告）日： | 2021-03-23 |
| 發明（設計）人： | 孫山峰 | 申請（專利權）人： | 無錫新仕嘉半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/15 | 分類號： | H01L27/15;H01L33/00 |
| 代理公司： | 無錫智麥知識產權代理事務所(普通合伙) 32492 | 代理人： | 宋春榮 |
| 地址： | 214000 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 集成 多晶 二極管 led 結構 | ||
1.一種集成多晶硅二極管的LED結構，其特征在于：包括有源介質，所述有源介質的外層設有內絕緣層(5)和設于所述內絕緣層(5)外側的外絕緣層(12)，所述內絕緣層(5)和所述外絕緣層(12)之間設有多晶硅二極管。
2.根據權利要求1所述的一種集成多晶硅二極管的LED結構，其特征在于：所述多晶硅二極管包括一P型多晶硅(8)和一N型多晶硅(9)，所述P型多晶硅(8)和所述N型多晶硅(9)同一層設置且相互之間連接。
4.根據權利要求3所述的一種集成多晶硅二極管的LED結構，其特征在于：所述負極金屬層(6)的另一側與所述P型多晶硅(8)接觸。
5.根據權利要求4所述的一種集成多晶硅二極管的LED結構，其特征在于：所述外絕緣層(12)上貫穿設有負極焊盤(10)，所述負極焊盤(10)的內側面與所述P型多晶硅(8)接觸，外側面外突于所述外絕緣層(12)。
6.根據權利要求5所述的一種集成多晶硅二極管的LED結構，其特征在于：所述內絕緣層(5)的另一端貫穿設有正極金屬層(7)，所述正極金屬層(7)的內側面與所述有源介質的外層相接觸，外側面與所述N型多晶硅(9)相接觸。
7.根據權利要求6所述的一種集成多晶硅二極管的LED結構，其特征在于：所述外絕緣層(12)上貫穿設有正極焊盤(11)，所述正極焊盤(11)的內側面與所述N型多晶硅(9)接觸，外側面外突于所述外絕緣層(12)。
8.根據權利要求7所述的一種集成多晶硅二極管的LED結構，其特征在于：所述有源介質介質包括依次設置的氮化鎵外延P型層(4)、氮化鎵外延發光層(3)、氮化鎵外延N型層(2)，所述氮化鎵外延P型層(4)為外層，所述氮化鎵外延N型層(2)為內層。
9.根據權利要求8所述的一種集成多晶硅二極管的LED結構，其特征在于：所述氮化鎵外延N型層(2)上設有藍寶石襯底。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
