[發(fā)明專利]太陽(yáng)能電池表面鈍化方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011574915.5
• 申請(qǐng)日: 2020-12-28
• 公開（公告）號(hào): CN112687762A
• 公開（公告）日: 2021-04-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳慶敏;初仁龍;何乃文;黃昭凱;汪松柏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無錫松煜科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;H01L31/0216
• 代理公司: 江蘇漫修律師事務(wù)所 32291
• 代理人: 熊啟奎;周曉東

1.一種太陽(yáng)能電池表面鈍化方法，其特征在于：包括以下步驟：

步驟S1，提供太陽(yáng)能電池原始硅片，對(duì)原始硅片進(jìn)行鍍膜前的預(yù)處理；

步驟S2，對(duì)硅片正面鍍雙層氮化硅膜；

步驟S3，對(duì)硅片背面鍍氧化鎵膜；

步驟S4，對(duì)步驟S3中的硅片退火處理，然后在硅片背面鍍第二介質(zhì)膜；

步驟S5，對(duì)硅片背面激光開窗；

步驟S6，對(duì)硅片進(jìn)行絲網(wǎng)印刷金屬化處理，獲得電池片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池表面鈍化方法，其特征在于：步驟S2進(jìn)一步包括：在管式PECVD內(nèi)對(duì)硅片的正面鍍兩層氮化硅膜，總厚度控制在78±10nm范圍內(nèi)，總折射率控制在2.12±0.05范圍內(nèi)；其中第一層氮化硅厚度為15～25nm，折射率為2.25～2.45；第二層氮化硅厚度為40～60nm，折射率為1.85～2.05。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池表面鈍化方法，其特征在于：步驟S3進(jìn)一步包括：鍍氧化鎵的方法為通過ALD、PEALD、PECVD以及LPCVD設(shè)備鍍氧化鎵膜中的一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池表面鈍化方法，其特征在于：步驟S3進(jìn)一步包括：通過PEALD對(duì)硅片的背面鍍氧化鎵膜，參與鍍氧化鎵膜的反應(yīng)氣體包括TMGa、臭氧以及輔助氣體；通過調(diào)節(jié)TMGa和臭氧比例進(jìn)行反應(yīng)制備氧化鎵膜，鍍膜速率控制在0.7?/循環(huán)，膜厚控制在20±55nm范圍內(nèi)，折射率為1.5～1.7；輔助氣體為氬氣、氨氣、硅烷、笑氣中的一種或多種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池表面鈍化方法，其特征在于：步驟S3進(jìn)一步包括：與TMGa一起生成氧化鎵膜的反應(yīng)物包括水、O₂、O₃中的一種或多種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池表面鈍化方法，其特征在于：步驟S4進(jìn)一步包括：第二介質(zhì)膜為氮化硅、氧化硅、ITO膜中的一種或多種，第二介質(zhì)膜為一層或多層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池表面鈍化方法，其特征在于：步驟S4進(jìn)一步包括：第二介質(zhì)膜為兩層氮化硅，先用管式PECVD在300℃的溫度對(duì)氧化鎵膜退火10分鐘，然后開始鍍背面氮化硅膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池表面鈍化方法，其特征在于：步驟S4進(jìn)一步包括：第二介質(zhì)膜為兩層氮化硅，通過調(diào)節(jié)氨氣、硅烷比例和反應(yīng)時(shí)間，將第一層氮化硅膜厚度控制在20～40nm，折射率為2.2 ～ 2.45，氣體比例為氨氣：硅烷為3:1 ～ 8:1之間，反應(yīng)時(shí)間為5分鐘；通過調(diào)節(jié)氨氣、硅烷比例和反應(yīng)時(shí)間，將第二層氮化硅膜厚度控制在40～80nm，折射率為1.95～2.07，氣體比例為氨氣：硅烷為9:1～15:1之間，反應(yīng)時(shí)間為10分鐘。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池表面鈍化方法，其特征在于：步驟S5進(jìn)一步包括：利用波長(zhǎng)為532nm、輸出功率25～30瓦的激光器，在硅片背面燒熔出虛實(shí)相間的線條，激光開窗圖形為長(zhǎng)方形或者正方形或者圓形，開窗面積占比為1.0%～1.5%。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池表面鈍化方法，其特征在于：步驟S1中對(duì)原始硅片進(jìn)行鍍膜前的預(yù)處理，包括以下步驟：

步驟a，提供太陽(yáng)能電池原始硅片；

步驟b，對(duì)原始硅片制絨清洗；

步驟c，原始硅片制絨清洗后進(jìn)行磷擴(kuò)散；

步驟d，對(duì)硅片去除背面及側(cè)面的磷硅玻璃；

步驟e，對(duì)硅片背面及側(cè)面堿拋刻蝕和酸洗；

步驟f，將堿拋刻蝕后的硅片PN結(jié)推進(jìn)。