[發明專利]一種納米銀線復合透明導電膜在審
| 申請號: | 202011574691.8 | 申請日: | 2020-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN114694877A | 公開(公告)日: | 2022-07-01 |
| 發明(設計)人: | 吳敏;郭佳亮;王樂躍;周紅霞;姚麗萍;周慈航;王莉莉 | 申請(專利權)人: | 樂凱華光印刷科技有限公司 |
| 主分類號: | H01B1/12 | 分類號: | H01B1/12;H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司: | 鄭州中原專利事務所有限公司 41109 | 代理人: | 霍彥偉;王喚霞 |
| 地址: | 473003 河南*** | 國省代碼: | 河南;41 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 納米 復合 透明 導電 | ||
本發明提供一種納米銀線復合透明導電膜,一種納米銀線復合透明導電膜,上自下依次由保護膠層、納米銀線層、聚噻吩導電層、基材、底層、硬化層組成,所述聚噻吩導電層由聚噻吩導電層涂布液涂布干燥而成;聚噻吩導電層涂布液由按質量百分比計的如下原料制成:聚噻吩分散液3%?15%、PH調節劑1?5%、改性親水PET水膠乳0.1%?15%、乙醇4%?19%、表面活性劑0.1%?10%、二甲基亞砜1%?5%,余量為去離子水。聚噻吩導電層的設置既保證了與基材和納米銀線層間的牢度,形成的導電面有效的彌補了納米銀線網狀導電結構的不足,極大的提高了納米銀線透明導電膜的導電性能和光學性能。
技術領域
本發明涉及導電膜,尤其涉及一種納米銀線復合透明導電膜。
背景技術
透明導電膜是一種通過特殊工藝將金屬或金屬氧化物復合透明介質上而獲得的、具有高透光性能和高導電性能的電熱轉換材料。
透明導電膜是光電器件的基礎材料,廣泛應用于液晶顯示器、觸摸屏、薄膜太陽能電池的電極等。
目前,市場上常見的透明導電膜是ITO玻璃(摻錫氧化銦)和ITO膜,它們支撐著相關市場的大半壁江山。
近年來,新興應用市場處于持續的爆發過程中,尤其是隨著5G時代的到來加速了新興應用市場的發展,包括諸如中大型觸摸屏、智能家居、OLED柔性顯示、OLED照明等。這些新興應用市場對技術的高要求已經遠遠超出了ITO材料的應用極限,成了我國這些新興技術和市場發展的制約因素。
作為一種新型透明導電膜,納米銀線具有更好的光學性質、高比表面積、高透光率、更好的導電和導熱性、耐屈撓性等,在電子領域,特別是在中大型觸摸屏、智能家居中的電子窗簾(PDLC)、柔性顯示器等應用領域有著非常旺盛的市場需求,具有廣闊的發展前景。
現有技術中,常規納米銀線透明導電膜薄膜的原理是納米銀線墨水通過涂布方式流平于基材上,銀線之間互相搭接形成網狀結構成為電流通路。現有納米銀線透明導電膜網狀結構中空部分由于不存導電物質,對其導電性影響較大。
發明內容
為解決上述問題,本發明提供一種納米銀線復合透明導電膜,聚噻吩導電層的設置既保證了與基材和納米銀線層間的牢度,形成的導電面有效的彌補了納米銀線網狀導電結構的不足,極大的提高了納米銀線透明導電膜的導電性能和光學性能。
本發明的目的是以下述方式實現的:一種納米銀線復合透明導電膜,上自下依次由保護膠層、納米銀線層、聚噻吩導電層、基材、底層、硬化層組成,所述聚噻吩導電層由聚噻吩導電層涂布液涂布干燥而成;聚噻吩導電層涂布液由按質量百分比計的如下原料制成:聚噻吩分散液3%-15%、PH調節劑1-5%、改性親水PET水膠乳0.1%-15%、乙醇4%-19%、表面活性劑0.1%-10%、二甲基亞砜1%-5%,余量為去離子水。
聚噻吩分散液中聚噻吩的重量為1%-2%,聚噻吩分散液的電導率300-500S/m。
PH調節劑為乙二胺、三乙胺中的至少一種。
所述聚噻吩導電層的制備方法如下:稱取配方量的去離子水、二甲基亞砜、聚噻吩分散液、pH調節劑、改性親水PET水膠乳、乙醇、表面活性劑,在攪拌速度為100~700r/min下攪拌5~30min進行混合制得聚噻吩導電層涂布液;
把聚噻吩導電層涂布液涂布到基材材非硬化層面上,經干燥后制得聚噻吩導電層。
所述聚噻吩導電層涂布液的濕涂布量為5-50ml/㎡。
所述聚噻吩導電層涂布液的干燥條件為80-140℃,干燥1-5min。
表面活性劑為丁二酸二異辛酯磺酸鈉或者丁二酸二己酯磺酸鈉中的至少一種。
所述基材為PET基材,厚度為12-150微米。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于樂凱華光印刷科技有限公司,未經樂凱華光印刷科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011574691.8/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





