[發明專利]層疊陶瓷電容器有效
| 申請號： | 202011572406.9 | 申請日： | 2020-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN113053658B | 公開（公告）日： | 2023-04-11 |
| 發明（設計）人： | 齊藤雄太;黑須勇太;若島誠寬;福永大樹;筒井悠 | 申請（專利權）人： | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號： | H01G4/12 | 分類號： | H01G4/12;H01G4/30;H01G4/005 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 趙琳琳 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 層疊 陶瓷 電容器 | ||
1.一種層疊陶瓷電容器，具備：
層疊體，包含在層疊方向上層疊的電介質陶瓷層以及內部電極層；和
外部電極，與所述內部電極層連接，
在所述層疊陶瓷電容器中，
所述層疊體具有：第1主面以及第2主面，在所述層疊方向上相對；第1側面以及第2側面，在與所述層疊方向正交的寬度方向上相對；和第1端面以及第2端面，在與所述層疊方向以及所述寬度方向正交的長度方向上相對，
所述內部電極層包含：第1內部電極層，引出到所述第1端面；和第2內部電極層，引出到所述第2端面，使得隔著所述電介質陶瓷層而與所述第1內部電極層對置，
所述外部電極包含：第1外部電極，配置在所述第1端面上，且與所述第1內部電極層連接；和第2外部電極，配置在所述第2端面上，且與所述第2內部電極層連接，
所述電介質陶瓷層包含第1電介質陶瓷層和第2電介質陶瓷層，
所述第1電介質陶瓷層配置在所述第1內部電極層與所述第2內部電極層之間，
所述第2電介質陶瓷層配置為包含隔著所述內部電極層對置的所述第1電介質陶瓷層間的未配置所述內部電極層的區域，且其一部分與所述第1電介質陶瓷層在所述層疊方向上重疊，
所述層疊體具有：內層部，所述第1內部電極層以及所述第2內部電極層隔著所述電介質陶瓷層交替地層疊；外層部，配置為在所述層疊方向上夾著所述內層部，且包含陶瓷材料；和第3電介質陶瓷層，配置為在所述寬度方向上夾著所述內層部以及所述外層部，且包含電介質陶瓷材料，
在所述第1內部電極層中的不與所述第2外部電極連接的所述長度方向的端部以及所述第2內部電極層中的不與所述第1外部電極連接的所述長度方向的端部，分別存在由Mg、Mn、Si中的至少一種元素引起的第1偏析。
2.根據權利要求1所述的層疊陶瓷電容器，其中，
在所述第1內部電極層的所述寬度方向的端部以及所述第2內部電極層的所述寬度方向的端部，分別存在由Mg、Mn、Si中的至少一種元素引起的第2偏析。
3.根據權利要求2所述的層疊陶瓷電容器，其中，
關于偏析到所述第1內部電極層的所述第1偏析、偏析到所述第2內部電極層的所述第1偏析、偏析到所述第1內部電極層的所述第2偏析、以及偏析到所述第2內部電極層的所述第2偏析，它們中的至少一組偏析中包含的元素與其它偏析中包含的元素不同。
4.根據權利要求2或3所述的層疊陶瓷電容器，其中，
所述第1電介質陶瓷層包含Ba以及Ti，
所述第1偏析中包含的元素以及所述第2偏析中包含的元素各自相對于所述內部電極層的含有率相對于100摩爾的Ti為0.3摩爾％以上。
5.根據權利要求2或3所述的層疊陶瓷電容器，其中，
所述第1內部電極層中存在所述第1偏析的區域在所述長度方向上有0.1μm以上，
所述第2內部電極層中存在所述第1偏析的區域在所述長度方向上有0.1μm以上，
所述第1內部電極層中存在所述第2偏析的區域在所述寬度方向上有0.1μm以上，
所述第2內部電極層中存在所述第2偏析的區域在所述寬度方向上有0.1μm以上。
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