[發明專利]一種提升封裝能力的OLED結構和制備方法

在審

• 申請號: 202011571945.0
• 申請日: 2020-12-27
• 公開（公告）號: CN112563438A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: 王紹華;王健波;吳遠武;吳迪
• 申請（專利權）人: 湖畔光電科技（江蘇）有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 南京勤行知識產權代理事務所(普通合伙) 32397
• 代理人: 尹英

本發明屬于顯示領域，提供了一種提升封裝能力的OLED結構，包括從上至下順序層疊的基底、陽極、復合有機層、陰極以及封裝層，所述基底與所述陽極接觸的一面設有基底凹凸結構，以上各層基底的凹凸結構的凹凸方向相同。以基底構形為出發點，對OLED器件進行優化，凹凸構形可顯著降低各膜層的表面應力，防止膜層的解體和滑移，使膜層更加穩定，增加器件的壽命，提升產品的良率水平；同時凹凸的表面構造，也可降低各有機層間的波導模式，減少了陰極表面的等離子模式，從而使OLED內部產生的光更多的發射出來，增大光取出效率。本發明還提供了一種制備提升封裝能力的OLED結構的方法。

技術領域

本發明涉及顯示領域，具體而言，涉及到一種OLED結構及其制備方法。

背景技術

有機電致發光二極管（OLED）具有低能耗、自發光、廣視角等優異特性，在顯示行業得到了廣泛的應用，如OLED電視、平板電腦等，隨著經濟社會的需求以及科技的進步，OLED更向高清晰度、曲面化以及小尺寸發展。

為了OLED性能滿足不同的需求，現有技術中通常在基底上層層沉積各功能膜層，但是往往各膜層表面應力較大，層膜數量越多，相互間的應力增加（可達500 Mpa以上），較大的應力會導致膜層易破裂解體，若此時膜層與膜層之間的結合力較弱，則會加速膜層的解體，增加封裝難度，甚至導致封裝失效，引入水汽和氧氣，造成器件損壞和報廢，影響產品的良率水平。

發明內容

為了解決現有技術的不足，本發明提供了一種膜層應力小結合力強、高封裝能力且提高器件內部光取出效率的提升封裝能力的OLED結構和制備方法。

一種提升封裝能力的OLED結構，包括從上至下順序層疊的基底、陽極、復合有機層、陰極以及封裝層，所述基底與所述陽極接觸的一面設有基底凹凸結構，所述陽極、所述復合有機層、所述陰極以及所述封裝層均為凹凸結構層，且與所述基底的凹凸結構的凹凸方向相同。

在一些較優的實施例中，所述凹凸結構為周期性結構，凸起部高度為1-10μm，凹陷部深度為1-10μm。

在一些較優的實施例中，所述陽極厚度為50-300 nm。

在一些較優的實施例中，所述陰極為金屬層或金屬合金層，所述厚度為10-150nm，所述陰極透光率不低于90%。

在一些較優的實施例中，所述復合有機層包括真空蒸鍍形成背離所述基底方向依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層，所述復合層的厚度為100-400 nm。

在一些較優的實施例中，所述封裝層為復合封裝層，其厚度為100-1630 nm。

在一些較優的實施例中，所述復合封裝層包括由金屬氧化物封裝層和無機硅化物封裝層，所述金屬氧化物封裝層的厚度為20-130 nm，所述無機硅化物封裝層厚度為80-1500 nm。

在一些較優的實施例中，所金屬氧化物封裝層包括氧化鋁、氧化鈦或氧化鋯一種或幾種，所述無機硅化物封裝層氮化硅、氧化硅或碳化硅的一種。

一種提升封裝能力的OLED結構的制備方法，包括如下步驟：

取基底，在其一面刻出凹凸紋路的表面構造形成基底凹凸結構；

在基底凹凸機構上濺射沉積形成陽極；

在陽極上依次沉積形成復合有機層和陰極；

在陰極層上用原子沉積法與化學氣相沉積法交替形成封裝層；

所述陽極、所述復合有機層、所述陰極以及所述封裝層均為凹凸結構層，且與所述基底的凹凸結構的凹凸方向相同。

在一些較優的實施例中，在陰極層上用原子沉積法與化學氣相沉積法交替形成封裝層的步驟為使金屬氧化物的前驅體交替在陰極上吸附反應，形成多層金屬氧化物封裝層，采用低溫等離子體增強化學沉積法，金屬氧化物封裝層上通過化學吸附反應沉積無機硅化物，形成一層無機硅化物封裝層。