[發(fā)明專利]制造半導(dǎo)體器件的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011570685.5
• 申請(qǐng)日: 2020-12-25
• 公開（公告）號(hào): CN113053759A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳俊毅;余振華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/48
• 分類號(hào): H01L21/48;H01L21/768;H01L21/56
• 代理公司: 南京正聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32243
• 代理人: 王素琴

1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，包括：

在載體之上形成第一重布線層；

將第一內(nèi)連器件貼合到所述第一重布線層；

在所述第一重布線層之上形成第一穿孔；

將所述第一穿孔及所述第一內(nèi)連器件嵌置在模塑化合物中；

在所述第一內(nèi)連器件、所述第一穿孔及所述模塑化合物之上形成第二重布線層，所述第一穿孔電耦合到所述第二重布線層；

形成第三重布線層，所述第三重布線層鄰近所述第一重布線層且與所述第一內(nèi)連器件、所述第一穿孔及所述模塑化合物相對(duì)地設(shè)置；

在所述第三重布線層上形成第一外部器件接觸件；以及

在所述第三重布線層上形成第二外部器件接觸件，所述第一內(nèi)連器件將所述第一外部器件接觸件電耦合到所述第二外部器件接觸件。