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[發明專利]一種掩膜版在審

專利信息
申請號: 202011569059.4 申請日: 2020-12-25
公開(公告)號: CN112813382A 公開(公告)日: 2021-05-18
發明(設計)人: 朱廣東;李華;劉繼宇 申請(專利權)人: 泰州隆基樂葉光伏科技有限公司
主分類號: C23C14/04 分類號: C23C14/04;C23C16/04;C25D5/02;C25D17/00;H01L31/04;H01L31/18
代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319 代理人: 趙娟
地址: 225300 江蘇*** 國省代碼: 江蘇;32
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摘要:
搜索關鍵詞: 一種 掩膜版
【說明書】:

發明提供了一種掩膜版,涉及光伏電池制造領域。掩膜版包括:掩膜框體、設置在掩膜框體內的若干掩膜條;掩膜條的兩端分別與掩膜框體的兩個相對側邊連接,掩膜條在掩膜框體中以縱向和/或橫向的方式布置;掩膜條的膨脹系數與硅片的膨脹系數兩者的差值小于6×10?6/℃。本發明實施例中,可以采用掩膜版與硅片表面緊密接觸,并僅通過一次沉積操作就可以實現在光伏電池片表面形成安置電極的凹槽區域和功能層所處區域,不需要額外投入昂貴的設備,減少了工藝流程,提高了生產效率,并且,掩膜條的膨脹系數與硅片的膨脹系數相對接近,從而保持掩膜條與硅片的較優貼合方式,掩膜版不會對硅片本身造成損傷,提高了光伏電池片的能量轉換效率。

技術領域

本發明涉及光伏電池制造技術領域,特別是涉及一種掩膜版。

背景技術

光伏發電技術作為一種可以直接將太陽光轉化為電能的技術,得到了越來越廣泛的應用,其中,在制備光伏電池的過程中,需要在硅片的表面制備一些功能層和電極。

現有技術中,制備功能層的方式為在硅片的表面形成一整層功能層,并在功能層上以激光開槽的形式制備出用于容置電極的凹槽。

但是,激光開槽的成本較高且工藝復雜,還會還會對硅片造成激光灼傷。

發明內容

本發明提供一種掩膜版,旨在解決現有方案中激光開槽的成本較高且工藝復雜,還會還會對硅片造成激光灼傷的問題。

本發明實施例提供了一種掩膜版,包括:

掩膜框體、設置在所述掩膜框體內的若干掩膜條;

所述掩膜條的兩端分別與所述掩膜框體的兩個相對側邊連接,所述掩膜條在所述掩膜框體中以縱向和/或橫向的方式布置;

所述掩膜條的膨脹系數與所述硅片的膨脹系數兩者的差值小于6×10-6/℃。

可選的,在40-400℃的溫度范圍內,所述掩膜條的膨脹系數為20×10-6/℃~30×10-6/℃。

可選的,所述掩膜條的外表面設置有絕緣隔離層。

可選的,所述絕緣隔離層為氟碳涂層或玻璃涂層或陶瓷涂層,所述玻璃涂層的熔點為400℃~800℃。

可選的,所述絕緣隔離層的厚度為10nm~10um。

可選的,所述掩膜條的不同位置的寬度和/或厚度不同。

可選的,在所述掩膜條的至少部分段中,所述掩膜條的寬度和/或厚度逐漸增大或減小。

可選的,從所述掩膜條的中央至所述掩膜條的兩端,所述掩膜條的寬度和/或厚度逐漸增大或減小。

可選的,所述掩膜條包括:多根掩膜線和兩條掩膜片條;所述掩膜片條的寬度大于所述掩膜線的直徑;

多根所述掩膜線橫向設置在所述掩膜框體內,相鄰所述掩膜線之間間隔第一預設距離;

兩條所述掩膜片條縱向設置在所述掩膜框體內,兩條所述掩膜片條之間間隔第二預設距離。

可選的,所述第二預設距離大于所述第一預設距離。

本發明的掩膜版,可以應用于功能層沉積過程中,將掩膜版與硅片表面緊密接觸,然后沉積,沉積完成后拿掉掩膜版即可,僅通過一次沉積操作就可以實現在光伏電池片表面形成凹槽區域(即未沉積的區域)和功能層所處區域(即沉積的區域),不需要額外投入昂貴的設備,減少了工藝流程,提高了生產效率,且不會對硅片造成激光灼傷。另外,掩膜條的膨脹系數與硅片的膨脹系數相對接近,從而在進行沉積工藝時,能夠保持掩膜條與硅片的較優貼合方式,掩膜版不會對硅片本身造成損傷,提高了光伏電池片的能量轉換效率。

附圖說明

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