[發明專利]海底電纜及其制造方法

有效

• 申請號: 202011568968.6
• 申請日: 2020-12-25
• 公開（公告）號: CN112735635B
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發明（設計）人: 王麗媛;王海洋;吳敬超;趙囿林;花煒;翁劍;房晶晶;胡明;張洪亮;薛建林
• 申請（專利權）人: 中天科技海纜股份有限公司
• 主分類號: H01B7/00
• 分類號: H01B7/00;H01B7/04;H01B7/14;H01B9/00;H01B9/02;H01B13/00
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 張海明;臧建明

1.一種海底電纜，其特征在于，包括海底電纜段和登陸電纜段，所述海底電纜段包括第一導體，所述第一導體沿徑向由內至外依次包括n層第一單絲層，所述登陸電纜段包括第二導體，所述第二導體沿徑向由內至外依次包括m層第二單絲層，m層所述第二單絲層沿徑向由內至外依次分為n層第二焊接單絲層和h層第二纏繞單絲層，m和n均為正整數，且m≥n，h＝m-n；

沿徑向由內至外，n層所述第一單絲層與n層所述第二焊接單絲層一一對應焊接；

h層所述第二纏繞單絲層按沿徑向由內到外的順序依次纏繞在n層所述第一單絲層中的最外層所述第一單絲層外；且任意兩個相鄰的所述第二纏繞單絲層中，位于外側的所述第二纏繞單絲層的纏繞部分覆蓋在位于內側的所述第二纏繞單絲層的纏繞部分外；其中，所述纏繞部分指所述第二纏繞單絲層纏繞在最外層所述第一單絲層外的部分；

n層所述第一單絲層和m層所述第二單絲層相連接的區域形成接頭的導體焊接區。

2.根據權利要求1所述的海底電纜，其特征在于，所述第二纏繞單絲層的纏繞部分的纏繞節距與所述第二纏繞單絲層的絞合部分的絞合節距之間的差值小于預設差值；

其中，所述絞合部分指所述第二纏繞單絲層絞合在最外層所述第二焊接單絲層外的部分。

3.根據權利要求2所述的海底電纜，其特征在于，任意相鄰的兩個第二焊接單絲層中，位于外側的所述第二焊接單絲層覆蓋位于內側的所述第二焊接單絲層與所述第一單絲層之間的次級焊接區；

最內側的所述第二纏繞單絲層包覆最外側的所述第一單絲層與最外側的所述第二焊接單絲層之間的次級焊接區；

其中，所述次級焊接區是所述第一單絲層與所述第二單絲層焊接的區域。

4.根據權利要求3所述的海底電纜，其特征在于，所述海底電纜段還包括第一導體屏蔽層，所述第一導體屏蔽層包覆部分所述第一導體；

所述登陸電纜段還包括第二導體屏蔽層，所述第二導體屏蔽層包覆部分所述第二導體；

所述接頭還包括導體屏蔽恢復層，所述導體屏蔽恢復層包覆部分所述第一導體、部分所述第二導體以及所述導體焊接區，且所述導體屏蔽恢復層的一端連接所述第一導體屏蔽層，另一端連接所述第二導體屏蔽層。

5.根據權利要求4所述的海底電纜，其特征在于，所述海底電纜段還包括第一絕緣層，所述第一絕緣層包覆所述第一導體屏蔽層；

所述登陸電纜段還包括第二絕緣層，所述第二絕緣層包覆所述第二導體屏蔽層；

所述接頭還包括絕緣恢復層，所述絕緣恢復層包覆所述導體屏蔽恢復層，且所述絕緣恢復層的一端連接所述第一絕緣層，另一端連接所述第二絕緣層。

6.根據權利要求5所述的海底電纜，其特征在于，所述海底電纜段還包括第一絕緣屏蔽層，所述第一絕緣屏蔽層包覆所述第一絕緣層；

所述登陸電纜段還包括第二絕緣屏蔽層，所述第二絕緣屏蔽層包覆所述第二絕緣層；

所述接頭還包括絕緣屏蔽恢復層，所述絕緣屏蔽恢復層包覆所述絕緣恢復層，且所述絕緣屏蔽恢復層的一端連接所述第一絕緣屏蔽層，另一端連接所述第二絕緣屏蔽層。

7.根據權利要求6所述的海底電纜，其特征在于，所述海底電纜段還包括第一縱向阻水層，所述第一縱向阻水層包覆部分所述第一絕緣屏蔽層；

所述登陸電纜段還包括第二縱向阻水層，所述第二縱向阻水層包覆部分所述第二絕緣屏蔽層；

所述接頭還包括縱向阻水恢復層，所述縱向阻水恢復層包覆部分所述第一絕緣屏蔽層、部分所述第二絕緣屏蔽層以及所述絕緣屏蔽恢復層，且所述縱向阻水恢復層的一端連接所述第一縱向阻水層，另一端連接所述第二縱向阻水層。