[發明專利]光刻裝置及光刻方法

在審

• 申請號: 202011568963.3
• 申請日: 2020-12-25
• 公開（公告）號: CN114690569A
• 公開（公告）日: 2022-07-01
• 發明（設計）人: 彭長四;劉晟;高雅琨;石震武
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F7/16;G03F7/36
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319
• 代理人: 王洪

1.一種光刻裝置，其特征在于，包括真空生長室、掩膜板、光路系統、光源；

所述光源、所述掩膜板、所述光路系統均位于所述真空生長室的外部；

所述光源發出的光線經所述掩膜板和所述光路系統后，在所述真空生長室內形成光投影圖案，以通過所述光投影圖案對形成在襯底表面的材料進行光刻；所述光投影圖案的形狀與所述掩膜板的掩膜圖案的形狀一致。

2.根據權利要求1所述的光刻裝置，其特征在于，所述光源為非相干光源。

3.根據權利要求1或2所述的光刻裝置，其特征在于，所述光源為脈沖光源。

4.根據權利要求1-3任一項所述的光刻裝置，其特征在于，

所述掩膜板為透射式掩膜板；或者，所述掩膜板為反射式掩膜板。

5.根據權利要求1-4任一項所述的光刻裝置，其特征在于，

所述掩膜板為移相掩膜板。

6.根據權利要求1-5任一項所述的光刻裝置，其特征在于，

所述掩膜板采用離軸照明。

7.根據權利要求1-6任一項所述的光刻裝置，其特征在于

所述光路系統包括透鏡；

所述透鏡位于所述掩膜板的出光側。

8.根據權利要求1-7任一項所述的光刻裝置，其特征在于，

所述光路系統包括由多個反射鏡形成的反射光路。

9.根據權利要求1-8任一項所述的光刻裝置，其特征在于，所述光刻裝置還包括設置于所述真空生長室的側壁上的束源爐。

10.根據權利要求1-9任一項所述的光刻裝置，其特征在于，所述襯底位于所述真空生長室的內部。

11.一種光刻方法，其特征在于，包括：

在真空生長室的內部設置襯底；

在所述襯底的表面沉積生長材料，通過光路系統控制光源發出的光線經掩膜板后在所述襯底的表面形成光投影圖案，以通過所述光投影圖案對沉積在所述襯底表面的材料進行光刻。