[發明專利]一種熔石英光學元件表面Sol-gel減反射膜層清洗方法

有效

• 申請號: 202011568122.2
• 申請日: 2020-12-25
• 公開（公告）號: CN112759280B
• 公開（公告）日: 2023-04-11
• 發明（設計）人: 宋辭;石峰;鐘曜宇;田野;張坤;鐵貴鵬;薛帥;林之凡
• 申請（專利權）人: 中國人民解放軍國防科技大學
• 主分類號: C03C23/00
• 分類號: C03C23/00;G01B11/06;G01B21/30;G01N21/31;G01N21/59;G01N21/65;G01Q60/24
• 代理公司: 湖南兆弘專利事務所(普通合伙) 43008
• 代理人: 譚武藝

1.一種熔石英光學元件表面Sol-gel減反射膜層清洗方法，其特征在于實施步驟包括：

1）測量待清洗樣品表面Sol-gel減反射膜層的膜層厚度h；

2）使用玻璃夾具對待清洗樣品進行裝夾；

3）將待清洗元件連同玻璃夾具裝入離子束機床工作腔內；

4）將離子束機床工作腔抽真空，然后通入惰性氣體；

5）對待清洗樣品進行一次惰性氣體離子束干法清洗工藝，去除待清洗樣品表面膜層厚度h的Sol-gel減反射膜層；所述對待清洗樣品進行一次惰性氣體離子束干法清洗工藝時，采用的工藝參數為從多組清洗參數中優選出一組材料去除效率比最大的一組清洗參數，其中材料去除效率比的值為Sol-gel減反射膜去除效率除以熔石英基底去除效率得到的結果；所述工藝參數包括入射離子能量ε、峰值束流密度J、等離子體入射角度θ以及等離子體加工效率。

2.根據權利要求1所述的熔石英光學元件表面Sol-gel減反射膜層清洗方法，其特征在于，步驟1）的詳細步驟包括：

1.1）采用分光光度計對待清洗樣品表面透射率進行測量得到透射率光譜；

1.2）根據透射率光譜確定最高透射率所在的波長λ_max；

1.3）根據h=5λ_max/24計算得到待清洗樣品表面Sol-gel減反射膜的膜層厚度h，其中λ_max為最高透射率所在的波長。

3.根據權利要求2所述的熔石英光學元件表面Sol-gel減反射膜層清洗方法，其特征在于，步驟1.1）中采用分光光度計對待清洗樣品表面透射率進行測量得到透射率光譜時，檢測波段為240nm~800nm，測量過程中采樣間隔為0.5nm，掃描速度300nm/min。

4.根據權利要求1所述的熔石英光學元件表面Sol-gel減反射膜層清洗方法，其特征在于，步驟4）將離子束機床工作腔抽真空時真空度不小于1×10^-5MPa。

5.根據權利要求1所述的熔石英光學元件表面Sol-gel減反射膜層清洗方法，其特征在于，步驟4）通入惰性氣體時，通入惰性氣體為Ar氣。

6.根據權利要求1所述的熔石英光學元件表面Sol-gel減反射膜層清洗方法，其特征在于，步驟4）通入惰性氣體時，通入惰性氣體的持續時間為30分鐘。

7.根據權利要求1所述的熔石英光學元件表面Sol-gel減反射膜層清洗方法，其特征在于，步驟5）對待清洗樣品進行一次惰性氣體離子束干法清洗工藝時采用的工藝參數為：入射離子能量ε=600eV，峰值束流密度J=20mA/cm²，等離子體加工效率1.82×10^-3mm³/min，等離子體入射角度θ=0°，清洗軌跡為光柵式掃描，整個過程中的材料去除量δ大于膜層厚度h。

8.根據權利要求1所述的熔石英光學元件表面Sol-gel減反射膜層清洗方法，其特征在于，步驟5）之后還包括下述步驟：將離子束機床工作腔內惰性氣體至回收氣體罐，通入新的惰性氣體，等待清洗后的樣品在離子束機床工作腔內自然冷卻后取出。

9.根據權利要求8所述的熔石英光學元件表面Sol-gel減反射膜層清洗方法，其特征在于，所述通入新的惰性氣體的持續時間為30分鐘，通入新的惰性氣體為Ar氣。

10.根據權利要求8所述的熔石英光學元件表面Sol-gel減反射膜層清洗方法，其特征在于，所述在離子束機床工作腔內自然冷卻的時間為3小時。