[發明專利]一種三維存儲器及其制作方法

有效

• 申請號: 202011568066.2
• 申請日: 2020-12-25
• 公開（公告）號: CN112687694B
• 公開（公告）日: 2023-07-18
• 發明（設計）人: 張中
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H10B41/10
• 分類號: H10B41/10;H10B41/35;H10B41/20;H10B43/10;H10B43/35;H10B43/20
• 代理公司: 北京漢之知識產權代理事務所(普通合伙) 11479
• 代理人: 高園園

1.一種三維存儲器，其特征在于，包括：

堆疊結構，包括第一疊層結構及位于所述第一疊層結構上方的第二疊層結構，所述第一疊層結構包括在垂直方向上堆疊的多個底部選擇柵層，相鄰所述底部選擇柵層之間設有第一隔離層，所述第二疊層結構包括在垂直方向上堆疊的多個柵極層，相鄰所述柵極層之間設有第二隔離層；

所述堆疊結構劃分為多個存儲區塊，所述存儲區塊包括擋墻結構以及與所述擋墻結構相鄰設置的下層階梯結構，所述下層階梯結構形成在所述第一疊層結構中，所述下層階梯結構包括沿第一水平方向依次設置的第一階梯結構、第二階梯結構、第三階梯結構及第四階梯結構；

多個沿所述第一水平方向延伸的柵線縫隙結構，用于將所述存儲區塊劃分為沿第二水平方向排列的多個指狀結構，所述第二水平方向垂直于所述第一水平方向，所述柵線縫隙結構貫穿所述堆疊結構，在沿所述第一水平方向上，所述柵線縫隙結構包括位于所述階梯結構中多個不連續設置的子柵線縫隙；多個所述指狀結構包括第一指狀結構以及與所述第一指狀結構相鄰設置的第二指狀結構，所述擋墻結構位于所述第一指狀結構中；

多個絕緣隔斷結構，貫穿所述第一疊層結構，所述絕緣隔斷結構連接位于所述第一階梯結構和所述第四階梯結構中相鄰的所述子柵線縫隙；

多個第一觸點結構，分布于所述第一階梯結構及所述第四階梯結構的臺階上，并與所述第二指狀結構中的所述底部選擇柵層連接；

至少一個第二觸點結構，分布于所述第二階梯結構或/及所述第三階梯結構的臺階上，并與相應臺階中的所述底部選擇柵層連接以電連接所述第一指狀結構中的所述底部選擇柵層。

2.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于：在所述第一水平方向上，所述存儲區塊劃分為第一核心區、第一頂部選擇柵連接區、第一字線連接區、底部選擇柵連接區、第二字線連接區、第二頂部選擇柵連接區及第二核心區，所述下層階梯結構位于所述底部選擇柵連接區。

3.根據權利要求2所述的三維存儲器，其特征在于：所述第一階梯結構、所述第二階梯結構、所述第三階梯結構及所述第四階梯結構均包括多個臺階，不同層臺階分別包括不同層的所述底部選擇柵層，在所述第一階梯結構指向所述第四階梯結構的方向上，所述第一階梯結構與所述第三階梯結構的臺階均依次降低，所述第二階梯結構與所述第四階梯結構的臺階均依次升高。

4.根據權利要求2所述的三維存儲器，其特征在于：多個所述絕緣隔斷結構分布于所述第一字線連接區、所述第一階梯結構所在區域、所述第四階梯結構所在區域及所述第二字線連接區，并連接于相鄰所述子柵線縫隙之間，以將所述第一字線連接區、所述第一階梯結構所在區域、所述第四階梯結構所在區域及所述第二字線連接區的相鄰指狀結構的所述底部選擇柵層電隔離，所述第二階梯結構所在區域及所述第三階梯結構所在區域的相鄰指狀結構的所述底部選擇柵層在相鄰所述子柵線縫隙之間的區域電連接。

5.根據權利要求2所述的三維存儲器，其特征在于：所述擋墻結構包括多層所述底部選擇柵層及多層所述柵極層，所述擋墻結構自所述第一指狀結構的所述第一字線連接區延伸至所述第一指狀結構的所述第二字線連接區。

6.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于：所述絕緣隔斷結構包括底部選擇柵切口或虛設溝道孔。

7.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于：多個所述指狀結構還包括至少一第三指狀結構，所述第三指狀結構及所述第二指狀結構位于所述第一指狀結構的同一側，且所述第三指狀結構與所述第一指狀結構不相鄰。

8.根據權利要求7所述的三維存儲器，其特征在于：所述三維存儲器還包括至少一個第三觸點結構，所述第三觸點結構分布于所述第一階梯結構及所述第四階梯結構的臺階上，并與所述第三指狀結構中的所述底部選擇柵層連接，所述第二觸點結構設置于所述第二指狀結構或/及所述第三指狀結構中。

9.根據權利要求1所述的三維存儲器，其特征在于：所述三維存儲器還包括連續的主柵線縫隙，將所述堆疊結構劃分為多個所述存儲區塊。