[發明專利]電容器電解質膜及其制備方法在審
| 申請號： | 202011568032.3 | 申請日： | 2020-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN114678283A | 公開（公告）日： | 2022-06-28 |
| 發明（設計）人： | 崔基雄;項金娟;李亭亭;劉青 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L21/62 | 分類號： | H01L21/62;H01L23/64;H01L49/02;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京辰權知識產權代理有限公司 11619 | 代理人： | 金銘 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電容器 電解 質膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種電容器電解質膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
在電容器下部電極上淀積電解質膜；
降低反應室內的壓強；
對所述電解質膜進行至少一次再處理，所述再處理包括反應前驅體處理和/或氧化處理，所述反應前驅體處理包括：向反應室內供應電解質膜的前驅體，然后進行吹掃。
2.根據權利要求1所述的電容器電解質膜的制備方法，其特征在于，所述電解質膜的材料選自ZrOx,X的取值為1-2。
3.根據權利要求1所述的電容器電解質膜的制備方法，其特征在于，所述前驅體為含Zr胺基類有機金屬前驅體。
4.根據權利要求3所述的電容器電解質膜的制備方法，其特征在于，所述前驅體選自三(二甲胺基)環戊二烯基鋯。
5.根據權利要求4所述的電容器電解質膜的制備方法，其特征在于，所述反應前驅體處理的溫度為：250-350℃。
6.根據權利要求1所述的電容器電解質膜的制備方法，其特征在于，對所述電解質膜進行多次再處理，所述反應前驅體處理包括：在第一壓強下，向反應室內供應電解質膜的前驅體，之后進行吹掃，之后維持第二壓強，再進行下一次反應前驅體處理。
7.根據權利要求6所述的電容器電解質膜的制備方法，其特征在于，所述反應前驅體處理的時間為5-8min,所述第一壓強為50-80mtorr，所述第二壓強為2-5torr，所述吹掃使用的氣體為Ar。
8.根據權利要求1所述的電容器電解質膜的制備方法，其特征在于，所述氧化處理為使用遠程等離子處理裝置對所述電解質膜進行含氧等離子體氧化處理，同時對所述半導體襯底的背面施加偏置電壓。
9.根據權利要求8所述的電容器電解質膜的制備方法，其特征在于，所述氧化處理時的氣體包括：氧氣、氧自由基或氧離子。
10.根據權利要求1-9任一項所述的電容器電解質膜的制備方法，其特征在于，所述下部電極呈圓筒狀。
11.根據權利要求10所述的電容器電解質膜的制備方法，其特征在于，所述再處理的電解質膜位于所述圓筒狀的底部。
12.一種由權利要求1-11任一項所述的電容器電解質膜的制備方法處理得到的電容器電解質膜。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
