[發明專利]進氣結構及半導體沉積設備

有效

• 申請號: 202011567370.5
• 申請日: 2020-12-25
• 公開（公告）號: CN112795905B
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發明（設計）人: 張文強;趙雷超;史小平;蘭云峰;秦海豐;紀紅
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/40;H01L21/02
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 施敬勃

1.一種進氣結構，應用于半導體沉積設備，其特征在于，所述半導體沉積設備包括反應腔室(320)和氣源輸送管路，所述進氣結構設有混合腔(110)、第一進氣孔(120)、第二進氣孔(130)和送氣孔(140)，所述混合腔(110)為圓臺狀結構件，所述混合腔(110)的第一端面(111)的面積大于所述混合腔(110)的第二端面(112)的面積，所述第一進氣孔(120)、所述第二進氣孔(130)和所述送氣孔(140)均與所述混合腔(110)連通，所述第一進氣孔(120)和所述第二進氣孔(130)均連通于所述混合腔(110)的側壁，所述側壁被任一垂直于所述混合腔(110)的軸線的平面所截得的圖形均為圓形，所述送氣孔(140)與所述第一端面(111)連通，所述第一進氣孔(120)和所述第二進氣孔(130)均用于與所述氣源輸送管路連通，所述送氣孔(140)與所述反應腔室(320)連通。

2.根據權利要求1所述的進氣結構，其特征在于，所述送氣孔(140)的軸線平行于所述混合腔(110)的軸線。

3.根據權利要求2所述的進氣結構，其特征在于，所述第一進氣孔(120)的進氣軸線和所述第二進氣孔(130)的進氣軸線均位于第一平面上，且所述混合腔(110)的軸線與所述第一平面垂直。

4.根據權利要求3所述的進氣結構，其特征在于，所述第一進氣孔(120)的進氣軸線與所述第二進氣孔(130)的進氣軸線之間的夾角為90°。

5.根據權利要求3所述的進氣結構，其特征在于，所述第一進氣孔(120)的側壁被所述第一平面截得的圖形包括第一側邊(121)和第二側邊(122)，所述第一側邊(121)與所述混合腔(110)的側壁相切，所述第二側邊(122)所在的直線穿過所述混合腔(110)；

所述第二進氣孔(130)的側壁被所述第一平面截得的圖形包括第三側邊(131)和第四側邊(132)，所述第三側邊(131)與所述混合腔(110)的側壁相切，所述第四側邊(132)所在的直線穿過所述混合腔(110)。

6.根據權利要求2所述的進氣結構，其特征在于，所述進氣結構還包括減壓腔(160)，所述減壓腔(160)設置于所述送氣孔(140)與所述混合腔(110)之間，所述減壓腔(160)為圓柱狀結構，且所述減壓腔(160)的底面直徑等于或大于所述第一端面(111)的直徑。

7.根據權利要求6所述的進氣結構，其特征在于，所述進氣結構設有分隔件(170)，所述分隔件(170)密封連接于所述混合腔(110)和所述減壓腔(160)之間，所述分隔件(170)設有多個貫穿孔(171)，多個所述貫穿孔(171)環繞所述分隔件(170)的軸線設置，且任一所述貫穿孔(171)與所述分隔件(170)的邊緣之間的間距均小于所述貫穿孔(171)與所述分隔件(170)的中心之間的間距。

8.一種半導體沉積設備，其特征在于，包括反應腔室(320)、氣源輸送管路和權利要求1-7任意一項所述的進氣結構(100)，所述進氣結構(100)的送氣孔(140)與所述反應腔室(320)連通，所述進氣結構(100)的所述第一進氣孔(120)和所述第二進氣孔(130)均與所述氣源輸送管路連通。

9.根據權利要求8所述的半導體沉積設備，其特征在于，所述氣源輸送管路包括主管路、第一支路和第二支路，所述主管路用于與氣體發生器(341)連通，所述主管路通過所述第一支路與所述第一進氣孔(120)連通，所述主管路通過所述第二支路與所述第二進氣孔(130)連通，所述第一支路和所述第二支路上均設有調壓閥和壓力檢測件。

10.根據權利要求9所述的半導體沉積設備，其特征在于，所述半導體沉積設備為原子層沉積設備，所述氣體發生器(341)為臭氧發生器。