[發明專利]一種電源VR芯片的電流自動校準電路及校準方法

有效

• 申請號: 202011567348.0
• 申請日: 2020-12-26
• 公開（公告）號: CN112799493B
• 公開（公告）日: 2022-12-27
• 發明（設計）人: 張濤
• 申請（專利權）人: 蘇州浪潮智能科技有限公司
• 主分類號: G06F1/26
• 分類號: G06F1/26;G06F1/28;G06F1/30
• 代理公司: 北京眾達德權知識產權代理有限公司 11570
• 代理人: 徐彥圣

本申請公開一種電源VR芯片的電流自動校準電路及校準方法，校準電路包括：電源VR芯片電路、VR芯片控制電路和BMC芯片；所述VR芯片控制電路和所述BMC芯片分別與所述電源VR芯片電路電連接；所述BMC芯片用于測量所述電源VR芯片電路內的真實電流值；所述VR芯片控制電路用于測量所述電源VR芯片電路內的當前電流值以及根據所述真實電流值與所述當前電流值的比對結果修正監控電流值；能夠提高監控電流值的校準精度。

技術領域

本申請實施例涉及集成電路技術領域，尤其涉及一種電源VR芯片的電流自動校準電路及校準方法。

背景技術

隨著互聯網技術的迅速發展，特別是大數據和云平臺等關鍵技術的突破，對存儲服務器的需求越來越大，同時對存儲服務器產品的穩定性要求也越來越高。存儲服務器的產品穩定性主要依賴于服務器的CPU(中央處理器)在準確的監控電流下運行，通常通過對服務器電源輸出電流的測量對監控電流進行校準。現有測量服務器電源輸出電流的方法，通常通過電子負載設定電流值，人為對存儲服務器電源VR(Voltage Regulation，電壓轉換)芯片電路的輸出電流進行拉載，在設定電流值附近拉載多個電流值得到測量電流值。對監控電流進行校準則通過判斷VR芯片控制器讀取到的電源VR芯片電路的輸出電流值和拉載測得的測量電流值是否相等，來校準監控電流值。

然而，現有校準監控電流值的方法效率低且無法實現批量校準，另外，由于電源VR芯片中的導通電阻的阻值會隨著溫度漂移，則導致VR芯片控制器讀取到的真實電流值無法反映電源VR芯片電路的真實性能，最終導致校準后的監控電流值不準確。

發明內容

本申請實施例一種電源VR芯片的電流自動校準電路及校準方法，能夠提高監控電流值的校準精度。

第一方面，一種電源VR芯片的電流自動校準電路，包括：電源VR芯片電路、VR芯片控制電路和BMC(Baseboard Management Controller，基板管理控制器)芯片；

所述VR芯片控制電路和所述BMC芯片分別與所述電源VR芯片電路電連接；

所述BMC芯片用于測量所述電源VR芯片電路內的真實電流值；所述VR芯片控制電路用于測量所述電源VR芯片電路內的當前電流值以及根據所述真實電流值與所述當前電流值的比對結果修正監控電流值。

在一種可行的實施方式中，一種電源VR芯片的電流自動校準電路，還包括第一測試負載；

所述BMC芯片用于測試流經所述第一測試負載的電流值，以得到所述電源VR芯片電路內的真實電流值。

在一種可行的實施方式中，所述電源VR芯片電路包括MOS管單元；

所述VR芯片控制電路包括控制器，所述控制器和所述MOS管單元之間設置有第二測試負載、測試引線和控制負載單元。

在一種可行的實施方式中，一種電源VR芯片的電流自動校準電路，還包括：輸入端、輸出端和電感單元，所述輸入端用于接入電源，所述輸出端用于輸出電流，所述電感單元用于存續電流；

所述MOS管單元包括第一MOS管和第二MOS管；

所述控制負載單元包括第一控制負載、第二控制負載和第三控制負載；

所述第一MOS管的源電極或漏電極中的一者用于與所述輸入端電連接，另一者與所述第二MOS管的源電極或漏電極中的一者電連接，所述第二MOS管的源電極或漏電極中的另一者與所述第一測試負載的一端電連接，所述第一測試負載的另一端用于接地，所述第一測試負載電連接所述第二MOS管的一端與所述BMC芯片電連接，所述第一MOS管與所述第二MOS管電連接的源電極或漏電極與所述電感單元的一端電連接，所述電感單元的另一端與所述輸出端電連接；