[發明專利]一種反應腔裝置及其工作方法

在審

• 申請號: 202011566713.6
• 申請日: 2020-12-25
• 公開（公告）號: CN112447489A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發明（設計）人: 邱勇;吳堃;張鵬兵;陳世名
• 申請（專利權）人: 上海諳邦半導體設備有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種反應腔裝置，其特征在于，包括：

反應腔主體；

位于所述反應腔主體內的晶圓承載平臺，所述晶圓承載平臺的表面適于放置晶圓；

環繞所述晶圓承載平臺的緩沖環，所述緩沖環適于在垂直于晶圓承載平臺上表面的方向上進行移動。

2.根據權利要求1所述的反應腔裝置，其特征在于，所述緩沖環中具有開口；所述開口自所述緩沖環的內壁至所述緩沖環的外壁貫穿所述緩沖環。

3.根據權利要求2所述的反應腔裝置，其特征在于，若干開口沿著所述緩沖環的周向排布。

4.根據權利要求3所述的反應腔裝置，其特征在于，所述開口在所述緩沖環的側壁的投影形狀為條狀，所述條狀的延伸方向垂直于若干開口的排布方向。

5.根據權利要求2所述的反應腔裝置，其特征在于，所述開口在所述緩沖環的側壁的投影形狀沿著所述緩沖環的周向延伸；自所述緩沖環的頂部至所述緩沖環的底部的方向排布有多個開口。

6.根據權利要求2所述的反應腔裝置，其特征在于，所述開口在所述緩沖環的側壁的投影形狀為孔狀。

7.根據權利要求2所述的反應腔裝置，其特征在于，所述緩沖環的材料為石英、陶瓷、裸鋁或陽極氧化鋁。

8.根據權利要求1所述的反應腔裝置，其特征在于，所述緩沖環的材料為多孔結構材料。

9.根據權利要求1所述的反應腔裝置，其特征在于，所述緩沖環的側壁垂直于所述晶圓承載平臺的上表面。

10.根據權利要求1所述的反應腔裝置，其特征在于，所述緩沖環的側壁與所述晶圓承載平臺的上表面之間的夾角為鈍角，所述鈍角小于或等于120度。

11.根據權利要求1所述的反應腔裝置，其特征在于，還包括：位于所述緩沖環的底部且與所述緩沖環的底面接觸的高度調節器；高度控制器，所述高度控制器適于控制所述高度調節器對所述緩沖環在縱向上的位置進行調節。

12.根據權利要求1所述的反應腔裝置，其特征在于，還包括：位于所述反應腔主體上方的感性耦合射頻單元；所述反應腔主體的頂部設置有隔離柵網；所述感性耦合射頻單元位于所述隔離柵網的上方；貫穿所述反應腔主體的底壁的出氣口。

13.一種如權利要求1至12任意一項所述的反應腔裝置的工作方法，其特征在于，包括：

將晶圓放置在所述晶圓承載平臺的表面之后，調節所述緩沖環在垂直于晶圓承載平臺上表面的方向上的位置；

調節所述緩沖環在垂直于晶圓承載平臺上表面的方向上的位置之后，進行第一工藝反應。

14.根據權利要求13所述的反應腔裝置的工作方法，其特征在于，所述反應腔裝置還包括：位于所述緩沖環的底部且與所述緩沖環的底面接觸的高度調節器；高度控制器；

調節所述緩沖環在垂直于晶圓承載平臺上表面的方向上的位置為：所述高度控制器控制所述高度調節器對所述緩沖環在縱向上的位置進行調節。