[發明專利]一種薄膜晶體管及其制備方法

在審

• 申請號: 202011564030.7
• 申請日: 2020-12-25
• 公開（公告）號: CN112614896A
• 公開（公告）日: 2021-04-06
• 發明（設計）人: 龐超;龔政;胡詩犇;郭嬋;潘章旭;劉久澄;龔巖芬;王建太;鄒勝晗;陳志濤
• 申請（專利權）人: 廣東省科學院半導體研究所
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/24;H01L21/34;B82Y30/00
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 劉曾

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括:

襯底；

位于所述襯底上的柵極；

位于所述襯底上，并覆蓋在所述柵極上的柵絕緣層；

位于所述柵絕緣層上的有源層；

以及，與所述有源層連接的源極和漏極；

其中，所述有源層采用具有p型半導體特性的多元硫化物二維納米片薄膜制成。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層為含銅的多元硫化物二維納米片薄膜。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層采用Cu₂FeSnS₄和CuSbS₂中至少一種材料。

4.根據權利要求1-3任一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層的厚度為5-200nm。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源極和所述漏極分別與所述有源層的兩側連接，并與所述襯底的上表面、所述柵絕緣層的上表面接觸。

6.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在襯底上制備柵極；

在所述柵極表面制備柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上制備有源層；

在所述有源層的表面制備源極和漏極；

其中，所述有源層采用具有p型半導體特性的多元硫化物二維納米薄膜制成。

7.根據權利要求6所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，在所述柵絕緣層上制備有源層的步驟，包括：

在所述柵絕緣層的上表面沉積p型Cu₂FeSnS₄二維納米片薄膜；

進行退火處理。

8.根據權利要求6所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，在所述柵絕緣層上制備有源層的步驟，包括：

在所述柵絕緣層的上表面旋涂p型Cu₂FeSnS₄納米片乙醇溶液；

進行退火處理。

9.根據權利要求6所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，在所述柵極表面制備柵絕緣層的步驟，包括：

在所述柵極表面通過陽極氧化或化學氣相沉積的方法形成所述柵絕緣層。

10.根據權利要求6所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，在所述有源層的表面制備源極和漏極的步驟，包括：

在所述有源層的上表面通過化學氣象沉積或直流濺射的方法形成源極和漏極。