[發(fā)明專利]具有垂直側(cè)壁的自對準(zhǔn)柵極端蓋(SAGE)架構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011563905.1
• 申請日: 2020-12-25
• 公開（公告）號: CN113629053A
• 公開（公告）日: 2021-11-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: R·K·達(dá)斯;K·希卡迪;R·佩爾斯
• 申請（專利權(quán)）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L27/092
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 林金朝

1.一種集成電路結(jié)構(gòu)，包括：

半導(dǎo)體鰭，所述半導(dǎo)體鰭具有沿所述半導(dǎo)體鰭的長度的側(cè)壁，每個側(cè)壁從所述半導(dǎo)體鰭的頂部朝向所述半導(dǎo)體鰭的底部向外成錐形；以及

柵極端蓋隔離結(jié)構(gòu)，所述柵極端蓋隔離結(jié)構(gòu)與所述半導(dǎo)體鰭間隔開并且具有平行于所述半導(dǎo)體鰭的所述長度的長度，所述柵極端蓋隔離結(jié)構(gòu)具有基本垂直的側(cè)壁，所述基本垂直的側(cè)壁橫向面向所述半導(dǎo)體鰭的所述向外成錐形的側(cè)壁中的一個側(cè)壁。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述半導(dǎo)體鰭的所述向外成錐形的側(cè)壁中的所述一個側(cè)壁以相對于垂直大于5度的角度成錐形，并且所述柵極端蓋隔離結(jié)構(gòu)的所述基本垂直的側(cè)壁以相對于垂直零度到小于5度范圍中的角度向內(nèi)成錐形。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述柵極端蓋隔離結(jié)構(gòu)具有在所述半導(dǎo)體鰭的上表面上方的上表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述柵極端蓋隔離結(jié)構(gòu)具有與所述半導(dǎo)體鰭的上表面大致共面的上表面。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述柵極端蓋隔離結(jié)構(gòu)包括下方電介質(zhì)部分以及所述下方電介質(zhì)部分上的電介質(zhì)蓋。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述柵極端蓋隔離結(jié)構(gòu)包括在所述柵極端蓋隔離結(jié)構(gòu)之內(nèi)居中的垂直接縫。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的集成電路結(jié)構(gòu)，還包括：

位于所述半導(dǎo)體鰭上方并且與所述柵極端蓋隔離結(jié)構(gòu)接觸的柵電極。

8.一種集成電路結(jié)構(gòu)，包括：

第一半導(dǎo)體鰭，所述第一半導(dǎo)體鰭具有沿所述第一半導(dǎo)體鰭的長度的側(cè)壁，每個側(cè)壁從所述第一半導(dǎo)體鰭的頂部朝向所述第一半導(dǎo)體鰭的底部向外成錐形；

第二半導(dǎo)體鰭，所述第二半導(dǎo)體鰭具有沿所述第二半導(dǎo)體鰭的長度的側(cè)壁，每個側(cè)壁從所述第二半導(dǎo)體鰭的頂部朝向所述第二半導(dǎo)體鰭的底部向外成錐形；以及

柵極端蓋隔離結(jié)構(gòu)，所述柵極端蓋隔離結(jié)構(gòu)位于所述第一半導(dǎo)體鰭和所述第二半導(dǎo)體鰭之間并且與所述第一半導(dǎo)體鰭和所述第二半導(dǎo)體鰭間隔開，所述柵極端蓋隔離結(jié)構(gòu)具有平行于所述第一半導(dǎo)體鰭和所述第二半導(dǎo)體鰭的所述長度的長度，所述柵極端蓋隔離結(jié)構(gòu)具有第一基本垂直的側(cè)壁，所述第一基本垂直的側(cè)壁橫向面向所述第一半導(dǎo)體鰭的所述向外成錐形的側(cè)壁中的一個側(cè)壁，并且所述柵極端蓋隔離結(jié)構(gòu)具有第二基本垂直的側(cè)壁，所述第二基本垂直的側(cè)壁橫向面向所述第二半導(dǎo)體鰭的所述向外成錐形的側(cè)壁中的一個側(cè)壁。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述柵極端蓋隔離結(jié)構(gòu)具有在所述第一半導(dǎo)體鰭的上表面上方和所述第二半導(dǎo)體鰭的上表面上方的上表面。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述柵極端蓋隔離結(jié)構(gòu)具有與所述第一半導(dǎo)體鰭的上表面大致共面并且與所述第二半導(dǎo)體鰭的上表面大致共面的上表面。

11.根據(jù)權(quán)利要求8、9或10所述的集成電路結(jié)構(gòu)，其中，所述第一半導(dǎo)體鰭的所述向外成錐形的側(cè)壁中的所述一個側(cè)壁以相對于垂直大于5度的角度成錐形，所述柵極端蓋隔離結(jié)構(gòu)的所述第一基本垂直的側(cè)壁以相對于垂直零度到小于5度范圍中的角度向內(nèi)成錐形，所述第二半導(dǎo)體鰭的所述向外成錐形的側(cè)壁中的所述一個側(cè)壁以相對于垂直大于5度的角度成錐形，并且所述柵極端蓋隔離結(jié)構(gòu)的所述第二基本垂直的側(cè)壁以相對于垂直零度到小于5度范圍中的角度向內(nèi)成錐形。