[發明專利]集成輸入射頻開關以及包括其的放大器

在審

• 申請號: 202011562743.X
• 申請日: 2020-12-25
• 公開（公告）號: CN112737518A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發明（設計）人: 董鑄祥;彭鳳雄;鄭金汪;錢永學;孟浩;蔡光杰;黃鑫
• 申請（專利權）人: 北京昂瑞微電子技術股份有限公司
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26;H03F1/02;H03F3/195;H03F3/21;H03F3/213;H03F3/217
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 梁棟國

1.一種集成輸入射頻開關，包括：

偏置電路，其被配置為接收偏置信號，以及

驅動級單元，其被配置為接收射頻輸入信號，并且對射頻輸入信號進行放大，

其中，所述偏置電路連接到所述驅動級單元，并且根據偏置信號來控制所述驅動級單元的導通和關斷。

2.根據權利要求1所述的集成輸入射頻開關，其中，所述偏置信號為偏置電壓或者偏置電流。

3.根據權利要求1所述的集成輸入射頻開關，其中，所述集成輸入射頻開關通過CMOS、BJT、HBT工藝中的一種來實現。

4.一種包括如權利要求1所述的集成輸入射頻開關的放大器，包括：

集成輸入射頻開關，其被配置為接收射頻輸入信號，以及

放大級偏置電路，其被配置為接收放大級偏置信號，以及

放大級單元，其被配置為從所述的集成輸入射頻開關接收信號，并且對從所述集成輸入射頻開關接收的信號進行放大，

其中，所述放大級偏置電路連接到所述放大級單元，并且根據放大級偏置信號來控制所述放大級單元的導通和關斷。

5.根據權利要求4所述的放大器，其中，所述放大器包括功率放大器。

6.根據權利要求4所述的放大器，其中，所述放大器包括低噪聲放大器。

7.根據權利要求4所述的放大器，其中，所述放大器包括N個集成輸入射頻開關，其中，N為大于等于2的自然數。

8.根據權利要求4所述的放大器，其中，所述放大器還包括：

輸入匹配模塊，其被配置為接收射頻輸入信號，并且將信號提供給所述集成輸入射頻開關，

級間匹配模塊，其被配置為從所述集成輸入射頻開關接收信號，并且將信號提供給所述放大級單元，以及

輸出匹配模塊，其被配置為從所述放大級單元接收信號，并且提供信號到射頻輸出端。

9.根據權利要求5所述的功率放大器，

其中，所述驅動級單元還包括：

驅動級電感器，所述驅動級電感器的一端與電源連接，并且所述驅動級電感器的另一端與驅動級晶體管的集電極連接；

驅動級晶體管，所述驅動級晶體管的基極與驅動級的所述偏置電路連接以接收信號，所述驅動級晶體管的發射極接地，并且所述驅動級晶體管的集電極與驅動級電感器連接以輸出信號，

其中，所述放大級單元還包括：

放大級電感器，所述放大級電感器的一端與電源連接，并且所述放大級電感器的另一端與放大級晶體管的集電極連接；

放大級晶體管，所述放大級晶體管的基極與所述放大級偏置電路連接以接收信號，所述放大級晶體管的發射極接地，并且所述放大級晶體管的集電極與所述放大級電感器連接以輸出信號。

10.根據權利要求6所述的低噪聲放大器，

其中，所述驅動級單元還包括：

驅動級第一電感器，所述驅動級第一電感器的一端與電源連接，并且所述驅動級第一電感器的另一端與驅動級晶體管的源極連接；

驅動級晶體管，所述驅動級晶體管的柵極與驅動級的所述偏置電路連接以接收信號，所述驅動級晶體管的漏極與驅動級第二電感器連接，并且所述驅動級晶體管的源極與所述驅動級第一電感器連接以輸出信號；

驅動級第二電感器，所述驅動級第二電感器的一端與所述驅動級晶體管的漏極連接，并且所述驅動級第二電感器的另一端接地，

其中，所述放大級單元還包括：

放大級第一電感器，所述放大級第一電感器的一端與電源連接，并且所述放大級第一電感器的另一端與放大級晶體管的源極連接；

放大級晶體管，所述放大級晶體管的柵極與所述放大級偏置電路連接以接收信號，所述放大級晶體管的漏極與放大級第二電感器連接，并且所述放大級晶體管的源極與所述放大級第一電感器連接以輸出信號；

放大級第二電感器，所述放大級第二電感器的一端與所述放大級晶體管的漏極連接，并且所述放大級第二電感器的另一端接地。