[發明專利]帶寬可重構的射頻功率放大器

在審

• 申請號: 202011562714.3
• 申請日: 2020-12-25
• 公開（公告）號: CN112737523A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發明（設計）人: 彭鳳雄;董鑄祥;鄭金汪;何世海;錢永學;孟浩;蔡光杰;黃鑫
• 申請（專利權）人: 廣州昂瑞微電子技術有限公司
• 主分類號: H03F1/42
• 分類號: H03F1/42;H03F1/56;H03F3/195;H03F3/21;H03F3/213;H03F3/68
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 梁棟國

1.一種帶寬可重構的射頻功率放大器，包括：

輸入匹配網絡模塊，其接收射頻輸入信號，并且為射頻功率放大器提供輸入匹配；

驅動級放大模塊，其從輸入匹配網絡模塊接收信號，并且被配置為對從輸入匹配網絡模塊接收的信號進行放大；

級間匹配網絡模塊，其從驅動級放大模塊接收信號，并且為射頻功率放大器提供級間匹配；

功率級放大模塊，其從級間匹配網絡模塊接收信號，并且被配置為對從級間匹配網絡模塊接收的信號進行放大；

輸出匹配網絡模塊，其從功率級放大模塊接收信號，并且為射頻功率放大器提供輸出匹配；以及

控制單元，其連接到驅動級放大模塊和功率級放大模塊，并且被配置為控制驅動級放大模塊和功率級放大模塊來調整射頻功率放大器的頻率帶寬。

2.根據權利要求1所述的射頻功率放大器，其中，所述射頻功率放大器包括N個驅動級放大模塊，其中，所述N是大于等于1的自然數。

3.根據權利要求1所述的射頻功率放大器，其中，所述射頻功率放大器包括M個功率級放大模塊，其中，所述M是大于等于1的自然數。

4.根據權利要求1所述的射頻功率放大器，其中，所述驅動級放大模塊包括驅動級偏置電路模塊和驅動級單元模塊。

5.根據權利要求4所述的射頻功率放大器，其中，所述控制單元通過控制驅動級偏置電路模塊來控制驅動級單元模塊的導通狀態。

6.根據權利要求4所述的射頻功率放大器，其中，所述控制單元通過控制驅動級偏置電路模塊處于Class C類狀態來控制驅動級單元模塊的導通狀態。

7.根據權利要求1所述的射頻功率放大器，其中，所述功率級放大模塊包括功率級偏置電路模塊和功率級單元模塊。

8.根據權利要求7所述的射頻功率放大器，其中，所述控制單元通過控制功率級偏置電路模塊來控制功率級單元模塊的導通狀態。

9.根據權利要求7所述的射頻功率放大器，其中，所述控制單元通過控制功率級偏置電路模塊處于Class C類狀態來控制功率級單元模塊的導通狀態。

10.根據權利要求1所述的射頻功率放大器，其中，所述控制單元通過控制所述驅動級放大模塊來調整所述輸入匹配網絡模塊，以調整所述射頻功率放大器的頻率帶寬。

11.根據權利要求1所述的射頻功率放大器，其中，所述控制單元通過控制所述驅動級放大模塊來調整所述級間匹配網絡模塊，以調整所述射頻功率放大器的頻率帶寬。

12.根據權利要求1所述的射頻功率放大器，其中，所述控制單元通過控制所述功率級放大模塊來調整所述級間匹配網絡模塊，以調整所述射頻功率放大器的頻率帶寬。

13.根據權利要求1所述的射頻功率放大器，其中，所述控制單元通過控制所述功率級放大模塊來調整所述輸出匹配網絡模塊，以調整所述射頻功率放大器的頻率帶寬。

14.根據權利要求1所述的射頻功率放大器，其中，所述射頻功率放大器通過HBT、CMOS、BJT、BiCMOS、GaN工藝中的一種來實現。

15.一種控制帶寬可重構的射頻功率放大器的方法，所述射頻功率放大器包括輸入匹配網絡模塊、驅動級放大模塊、級間匹配網絡模塊、功率級放大模塊、輸出匹配網絡模塊以及控制單元，所述方法包括：

配置所述控制單元，以通過控制所述驅動級放大模塊和功率級放大模塊來調整所述輸入匹配網絡模塊、所述級間匹配網絡模塊以及所述輸出匹配網絡模塊中的一個，從而調整所述射頻功率放大器的頻率帶寬。