[發明專利]改善替代金屬柵極硅團聚的方法和晶圓傳送裝置

在審

• 申請號: 202011562365.5
• 申請日: 2020-12-25
• 公開（公告）號: CN112687530A
• 公開（公告）日: 2021-04-20
• 發明（設計）人: 鄭凱仁;巴文民;劉厥揚;胡展源
• 申請（專利權）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78;H01L21/677
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 焦天雷

1.一種改善替代金屬柵極硅團聚的方法，包括在襯底上執行SSA制程，依次形成二氧化硅層、氧化鉿層、氮化鈦層和無定形硅層，執行熱退火制程；其特征在于，還包括：對熱退火后晶圓進行氧化的步驟。

2.如權利要求1所述的改善替代金屬柵極硅團聚的方法，其特征在于：在執行熱退火制程后，傳輸晶圓時依靠晶圓熱退火制程殘留溫度進行晶圓氧化。

3.如權利要求1所述的改善替代金屬柵極硅團聚的方法，其特征在于：在執行熱退火制程后，傳輸晶圓時依靠晶圓熱退火制程殘留溫度注入氧氣進行晶圓氧化。

4.如權利要求1所述的改善替代金屬柵極硅團聚的方法，其特征在于：在執行熱退火制程后，傳輸晶圓時依靠晶圓熱退火制程殘留溫度使大氣環境與傳輸空間連通進行晶圓氧化。

5.如權利要求1所述的改善替代金屬柵極硅團聚的方法，其特征在于：其能應用于小于16nm的SSA制程工藝平臺。

6.如權利要求1所述的改善替代金屬柵極硅團聚的方法，其特征在于：其能應用于鰭式場效晶體管、高k介質柵和FinFET工藝平臺。

7.一種晶圓傳送裝置，其用于SSA制程爐管熱退火后晶圓傳輸，其特征在于：其傳輸區域內部存在氧原子。

8.如權利要求7所述的晶圓傳送裝置，其特征在于：其晶圓傳輸區域連接有氧氣注入裝置。

9.如權利要求7所述的晶圓傳送裝置，其特征在于：其晶圓傳輸區域與大氣環境連通。