[發明專利]一種水冷熱屏結構、單晶硅生長裝置和單晶硅生長方法

有效

• 申請號: 202011561712.2
• 申請日: 2020-12-25
• 公開（公告）號: CN112760709B
• 公開（公告）日: 2022-04-08
• 發明（設計）人: 焦鵬;黃旭光;劉彬國
• 申請（專利權）人: 晶澳太陽能有限公司
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B13/00;C30B15/00;C30B27/00;C30B27/02
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 楊倩;張效榮

1.一種水冷熱屏結構，其特征在于，包括：水冷熱屏本體(10)以及設置于所述水冷熱屏本體(10)內部的氣冷裝置(20)，其中，

所述氣冷裝置(20)包括：氣體導流結構(201)以及排氣結構(202)，其中，所述排氣結構(202)包括充氣盤(2021)以及設置于所述充氣盤(2021)上的多個排氣孔(2022)，其中，

所述排氣孔(2022)朝向位于所述充氣盤(2021)下方的單晶硅生長區域；

所述氣體導流結構(201)與所述排氣結構連通，用于將外部惰性氣體導入所述排氣結構(202)；

所述充氣盤(2021)設置于所述水冷熱屏本體(10)的內殼(101)上，用于將惰性氣體從多個所述排氣孔(2022)分散排出。

2.根據權利要求1所述的水冷熱屏結構，其特征在于，

所述排氣結構(202)到所述水冷熱屏本體(10)底部的距離不超過所述水冷熱屏本體(10)高度的

3.根據權利要求1所述的水冷熱屏結構，其特征在于，氣體導流結構(201)包括：進氣管(2011)，其中，

所述進氣管(2011)設置于所述水冷熱屏本體(10)內部，與所述充氣盤(2021)連通。

4.根據權利要求3所述的水冷熱屏結構，其特征在于，

所述氣體導流結構(201)進一步包括：分流環路(2012)以及多個分流管(2013)，其中，

所述分流環路(2012)包括的進氣口與所述進氣管(2011)的一端連通；

所述多個分流管(2013)分別與所述分流環路(2012)包括的多個出氣口以及所述充氣盤(2021)包括的多個進氣口相對應；

所述分流管(2013)的一端與相對應的所述分流環路(2012)的出氣口連通；

所述分流管(2013)的另一端與相對應的所述充氣盤(2021)的進氣口連通。

5.根據權利要求1所述的水冷熱屏結構，所述充氣盤(2021)設置于所述水冷熱屏本體(10)的底部。

6.根據權利要求1所述的水冷熱屏結構，多個所述排氣孔(2022)均布于所述充氣盤(2021)上。

7.根據權利要求1所述的水冷熱屏結構，所述充氣盤(2021)的外表面與所述水冷熱屏本體(10)的內殼(101)的內表面相貼合。

8.根據權利要求3所述的水冷熱屏結構，所述進氣管(2011)與所述水冷熱屏本體(10)包括的進水管(103)并排設置。

9.根據權利要求3或5所述的水冷熱屏結構，所述氣體導流結構進一步包括：進氣控制閥(2014)，其中，

所述進氣控制閥(2014)與所述進氣管(2011)的另一端連通，用于控制進入所述進氣管(2011)的惰性氣體的量。

10.根據權利要求4所述的水冷熱屏結構，所述分流環路(2012)的外表面以及多個分流管(2013)的外表面與所述水冷熱屏本體(10)的內殼(101)的內表面相貼合。

11.根據權利要求1、2、3至8以及10中任一所述的水冷熱屏結構，進一步包括：冷卻水導流裝置(30)，其中，

所述冷卻水導流裝置(30)設置于所述水冷熱屏本體(10)的內殼(101)和外殼(102)形成的空腔內；

所述冷卻水導流裝置(30)的進水口和出水口設置于所述水冷熱屏本體(10)的內殼(101)上；

所述冷卻水導流裝置(30)的進水口與所述水冷熱屏本體(10)包括的進水管(103)連通；

所述冷卻水導流裝置(30)的出水口與所述水冷熱屏本體(10)包括的出水管(104)連通。