[發明專利]半導體結構及其形成方法

在審

• 申請號: 202011561350.7
• 申請日: 2020-12-25
• 公開（公告）號: CN113054018A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 黃禹軒;蔡慶威;陳豪育;程冠倫
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/336
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷;鄭特強

1.一種半導體結構，包括：

一基底；

一鰭片結構，從該基底突出；

多個納米結構，形成在該鰭片結構上方；

一柵極結構，圍繞所述多個納米結構；

一源極/漏極結構，連接至所述多個納米結構；以及

一隔離部件，夾設在該鰭片結構和該源極/漏極結構之間。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其中該隔離部件的一頂表面低于所述多個納米結構的一最底表面。

3.如權利要求1所述的半導體結構，其中該隔離部件的一頂表面高于所述多個納米結構的一最底表面。

4.如權利要求1所述的半導體結構，其中該隔離部件由未摻雜的半導體材料制成。

5.如權利要求1所述的半導體結構，其中該隔離部件由絕緣材料制成。

6.如權利要求1所述的半導體裝置結構，其中該隔離部件具有彎曲的頂表面。

7.如權利要求1所述的半導體結構，其中該隔離部件包括直接接觸該鰭片結構的一襯墊和在該襯墊上方并直接接觸該源極/漏極結構的一絕緣材料。

8.一種半導體結構，包括：

一基底；

一第一鰭片結構，從該基底突出；

多個第一納米結構，形成在該第一鰭片結構上方；

一柵極結構，在一通道區包覆環繞所述多個第一納米結構；

一隔離部件，在一源極/漏極區覆蓋該第一鰭片結構的一頂表面；以及

一第一源極/漏極結構，形成在該隔離結構上方并連接至所述多個第一納米結構。

9.如權利要求8所述的半導體結構，還包括：

多個第一內間隔物，形成在所述多個第一納米結構之間，

其中所述多個第一內間隔物將該隔離部件和該柵極結構隔開。

10.一種半導體結構的制造方法，包括：

在一基底上方交替堆疊多個第一半導體材料層和多個第二半導體材料層；

將所述多個第一半導體材料層、所述多個第二半導體材料層和該基底圖案化以形成一鰭片結構；

在該鰭片結構的一源極/漏極區中形成一源極/漏極凹槽；

在該源極/漏極凹槽中形成一隔離部件；

形成一源極/漏極結構覆蓋該隔離部件；

移除所述多個第一半導體材料層以在一通道區中從所述多個第二半導體材料層形成多個納米結構；以及

形成包覆環繞所述多個納米結構的一柵極結構。