[發明專利]一種PVB包覆CsPbBr3 有效
| 申請號： | 202011561328.2 | 申請日： | 2020-12-25 |
| 公開（公告）號： | CN112745831B | 公開（公告）日： | 2022-12-23 |
| 發明（設計）人： | 向衛東;何清運;梁曉娟 | 申請（專利權）人： | 溫州大學 |
| 主分類號： | C09K11/02 | 分類號： | C09K11/02;C09K11/66;C08J5/18;C08L29/14;C08K3/16 |
| 代理公司： | 杭州天正專利事務所有限公司 33201 | 代理人： | 黃美娟;俞慧 |
| 地址： | 325035 浙江省溫州市甌海*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 pvb cspbbr base sub | ||
本發明公開了一種PVB包覆CsPbBr3量子點薄膜材料的制備方法，其包括以下步驟：把PVB與氯仿溶劑混合溶成膠狀，然后立即與CsPbBr3鈣鈦礦量子點溶液混合并攪拌，攪拌均勻后倒入成膜容器中，在室溫放置3～5h，揮發溶劑成復合膜狀，即得PVB包覆CsPbBr3量子點薄膜材料。本發明提供了一種工藝簡單、成本低的包覆CsPbX3PQD的方法，制得的PVB包覆CsPbBr3量子點薄膜材料很薄，具有好的水穩定性和抗紫外性能，還具有優秀的光學性能，并且具有可調波長、物化性能穩定等突出優勢。
技術領域
本發明屬于量子點薄膜領域，具體涉及一種PVB包覆CsPbBr3量子點薄膜材料的制備方法。
背景技術
具有鈣鈦礦結構以及新穎的電學和光學性質的所有無機CsPbX3(X＝Cl，Br，I)量子點應用于各種領域，例如發光二極管(LED)，顯示，激光和發射器。特別是，CsPbX3鈣鈦礦量子點(PQD)在用于白色LED和顯示器時具有獨特的優勢，因為它們的光致發光(PL)可以覆蓋整個可見光譜(從400到800nm)，并且它們的帶隙能量和發射色是可調的隨著鹵化物的變化。
盡管CsPbX3 PQD具有上述優點，但穩定性差始終限制了其實際應用，即CsPbX3 PQD暴露于大氣中的水蒸氣時其發光性能會迅速下降。為了克服該問題，已經進行了將CsPbX3PQD封裝在基質(例如玻璃塊，聚合物基質和二氧化硅顆粒)中，但需高溫熱處理才能將 PQD分散在玻璃基質中，而對于基于二氧化硅和聚合物基質的復合材料，它們的制備通常要經過繁瑣的程序，所以研究出一種簡便的包覆CsPbX3 PQD的研究非常迫切而又必要。
發明內容
本發明的目的是為了克服現有技術存在的缺點和不足，而提供一種PVB包覆CsPbBr3量子點薄膜材料的制備方法。
本發明所采取的技術方案如下：
一種PVB包覆CsPbBr3量子點薄膜材料的制備方法，包括以下步驟：
把PVB與氯仿溶劑混合溶成膠狀，然后立即與CsPbBr3鈣鈦礦量子點溶液混合并攪拌，攪拌均勻后倒入成膜容器中，在室溫放置3～5h，揮發溶劑成復合膜狀，即得PVB包覆CsPbBr3量子點薄膜材料。
本發明所制備的PVB包覆CsPbBr3量子點薄膜材料的形狀可以是平面、凹面、凸面。
作為優選，所述CsPbBr3鈣鈦礦量子點溶液以己烷為溶劑，濃度為7.50-7.70*10-6mol/L，所述PVB與CsPbBr3鈣鈦礦量子點溶液的投料比為0.4-0.8g：2-6mL。
作為進一步的優選，所述PVB與CsPbBr3鈣鈦礦量子點溶液的投料比為0.4g：6mL。
本發明所述的CsPbBr3鈣鈦礦量子點溶液可通過文獻報道的方法制備，如熱注入法。本發明具體推薦所述的CsPbBr3鈣鈦礦量子點溶液通過如下方法制備：
(1)油酸銫的制備
將Cs2CO3與的1-十八碳烯(ODE)和油酸(OA)一起加入三頸圓底燒瓶(RB)中，將反應混合物脫氣，然后將溫度升高至160-180℃，導致形成油酸銫溶液，將其儲存在室溫下；其中Cs2CO3與1-十八碳烯、油酸的投料比為0.3-0.6g：12-14mL：2-4mL；
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