[發(fā)明專利]一種薄膜鉑電阻中阻柵結(jié)構(gòu)的加工方法

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• 申請日: 2020-12-25
• 公開（公告）號: CN112775559A
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄧耀鋒;唐志鋒;鄭強(qiáng);龍明昇;廖文;呂啟濤;高云峰
• 申請（專利權(quán)）人: 大族激光科技產(chǎn)業(yè)集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: B23K26/362
• 分類號: B23K26/362;B23K26/60;C23C14/34;C23C14/18;C23C14/58
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1.一種薄膜鉑電阻中阻柵結(jié)構(gòu)的加工方法，其特征在于，包括：

在陶瓷基板表面沉積鉑薄膜層；

根據(jù)預(yù)設(shè)圖案，利用激光在所述鉑薄膜層上刻蝕出電阻條之間的間距≤5um的阻柵結(jié)構(gòu)，其中，所述激光的波長為355nm～532nm，激光的脈寬≤10ps。

2.如權(quán)利要求1所述的薄膜鉑電阻中阻柵結(jié)構(gòu)的加工方法，其特征在于，所述對陶瓷基板進(jìn)行預(yù)處理，獲取特定的陶瓷基板表面粗糙度，所述表面粗糙度為1um～3um。

3.如權(quán)利要求1所述的薄膜鉑電阻中阻柵結(jié)構(gòu)的加工方法，其特征在于，所述在所述陶瓷基板表面沉積鉑薄膜層，包括：

在真空環(huán)境下以純度≥99.99％鉑金作為靶材，采用濺射沉積的方法在陶瓷基板表面沉積厚度≤10um的鉑薄膜層。

4.如權(quán)利要求1所述的薄膜鉑電阻中阻柵結(jié)構(gòu)的加工方法，其特征在于，所述利用激光在所述鉑薄膜層上刻蝕預(yù)設(shè)圖案的阻柵結(jié)構(gòu)，還包括：

調(diào)整激光焦距，使陶瓷基板表面處于激光焦點(diǎn)位置，該激光焦點(diǎn)位置誤差精度≤0.02mm。

5.如權(quán)利要求1～4任意一項(xiàng)所述的薄膜鉑電阻中阻柵結(jié)構(gòu)的加工方法，其特征在于，對沉積有鉑薄膜層的陶瓷基板進(jìn)行熱處理，熱處理的溫度控制在350℃～550℃，處理時間可控制在2h～3h。

6.如權(quán)利要求5所述的薄膜鉑電阻中阻柵結(jié)構(gòu)的加工方法，其特征在于，還包括：

根據(jù)所述預(yù)設(shè)圖案在激光設(shè)備上設(shè)置所述激光的加工參數(shù)以及加工路徑。

7.如權(quán)利要求6所述的薄膜鉑電阻中阻柵結(jié)構(gòu)的加工方法，其特征在于，所述激光的加工參數(shù)設(shè)置包括：設(shè)置打標(biāo)次數(shù)為1～10次、Q開關(guān)頻率為200KHz～1000KHz、掃描填充間距為0.005mm～0.05mm、激光功率為2.4W～5.6W。

8.如權(quán)利要求6或7所述的薄膜鉑電阻中阻柵結(jié)構(gòu)的加工方法，其特征在于，所述激光設(shè)備包括超快激光器和光學(xué)元件，其中的光學(xué)元件采用3倍～8倍的擴(kuò)束鏡、30mm～70mm的F-θ聚焦鏡、以及重復(fù)掃描精度≤0.003mm的掃描振鏡。

9.如權(quán)利要求4所述的薄膜鉑電阻中阻柵結(jié)構(gòu)的加工方法，其特征在于，所述利用激光在所述鉑薄膜層上刻蝕預(yù)設(shè)圖案的阻柵結(jié)構(gòu)，還包括：

吸附所述激光在刻蝕阻柵結(jié)構(gòu)過程中所產(chǎn)生的粉塵。

10.一種薄膜鉑電阻，其特征在于，包括權(quán)利要求1～10任意一項(xiàng)所述的薄膜鉑電阻中阻柵結(jié)構(gòu)的加工方法。