[發明專利]上電復位電路在審
| 申請號: | 202011557893.1 | 申請日: | 2020-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN114696808A | 公開(公告)日: | 2022-07-01 |
| 發明(設計)人: | 李婧 | 申請(專利權)人: | 上海貝嶺股份有限公司 |
| 主分類號: | H03K17/22 | 分類號: | H03K17/22 |
| 代理公司: | 上海弼興律師事務所 31283 | 代理人: | 楊東明;張冉 |
| 地址: | 200233 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 復位 電路 | ||
1.一種上電復位電路,其特征在于,包括主POR單元、POR模塊、電平轉換模塊;
所述主POR單元的電源端與主電壓源電連接;
所述POR模塊包括至少一個副POR單元,所述副POR單元的電源端與一個副電壓源電連接;
所述電平轉換模塊的輸入端與所述副POR單元的輸出端電連接,所述電平轉換模塊用于將其輸入端的信號轉換至所述主電壓源對應的電壓域的信號并在其輸出端上輸出;
當所述副POR單元的輸出信號為第一狀態時,所述電平轉換模塊的輸出端用于使能所述主POR單元;當所述副POR單元的輸出信號為第二狀態時,所述電平轉換模塊的輸出端用于禁止所述主POR單元;
所述主POR單元的輸出端作為所述上電復位電路的輸出端。
2.如權利要求1所述的上電復位電路,其特征在于,所述主POR單元包括開關模塊,所述電平轉換模塊的輸出端用于控制所述開關模塊的導通或斷開以使能或禁止所述主POR單元。
3.如權利要求2所述的上電復位電路,其特征在于,所述POR模塊包括n個所述副POR單元,所述電平轉換模塊包括n個電平轉換單元,所述開關模塊包括n個開關單元,n個所述開關單元串聯;
第i個所述副POR單元的電源端與第i個所述副電壓源對應電連接;
第i個所述副POR單元的輸出端與第i個所述電平轉換單元的輸入端電連接;
第i個所述電平轉換單元的輸出端用于控制第i個所述開關單元的導通或斷開;i∈[1,n],n為大于等于2的正整數;
任意兩個所述副電壓源的電壓不相等。
4.如權利要求3所述的上電復位電路,其特征在于,所述電平轉換單元包括第一轉換PMOS管、第二轉換PMOS管、第一轉換NMOS管、第二轉換NMOS管、第三轉換NMOS管、第四轉換NMOS管;
所述第一轉換PMOS管的源極和所述第二轉換PMOS管的源極與所述主電壓源電連接,所述第一轉換PMOS管的柵極作為所述電平轉換單元的輸入端并與所述第二轉換NMOS管的柵極電連接,所述第一轉換PMOS管的漏極與所述第一轉換NMOS管的漏極、所述第二轉換PMOS管的柵極、所述第四轉換NMOS管的柵極電連接;
所述第一轉換NMOS管的源極與所述第二轉換NMOS管的漏極電連接,所述第一轉換NMOS管的柵極和所述第三轉換NMOS管的柵極與所述主電壓源電連接,所述第二轉換NMOS管的源極接地;
所述第二轉換PMOS管的漏極作為所述電平轉換單元的輸出端并與所述第三轉換NMOS管的漏極電連接,所述第三轉換NMOS管的源極與所述第四轉換NMOS管的漏極電連接,所述第四轉換NMOS管的源極接地。
5.如權利要求4所述的上電復位電路,其特征在于,所述第一轉換PMOS管、所述第一轉換NMOS管和所述第二轉換NMOS管為厚柵管。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海貝嶺股份有限公司,未經上海貝嶺股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011557893.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:冷敷設備的恒溫制冷校驗方法及系統、設備及存儲介質
- 下一篇:多色膠印機





