[發明專利]一種全光譜光電雙通道器件及其制備方法和應用有效

申請號：	202011556829.1	申請日：	2020-12-25
公開（公告）號：	CN112599646B	公開（公告）日：	2022-12-16
發明（設計）人：	劉舸;李元元	申請（專利權）人：	惠州學院
主分類號：	H01L33/00	分類號：	H01L33/00;H01L33/32;H01L33/42;H01L31/0224;H01L31/0304;H01L31/18;G01N21/27
代理公司：	深圳泛航知識產權代理事務所(普通合伙) 44867	代理人：	鄧愛軍
地址：	516007 廣***	國省代碼：	廣東;44
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種光譜光電雙通道器件及其制備方法應用
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【權利要求書】：

1.一種全光譜光電雙通道器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1.采用磁控濺射或MOCVD的方式在襯底上生長AlN薄膜，所述AlN薄膜按照鉛鋅礦結構結晶成膜；

S2.在AlN薄膜表面蒸鍍獲得圖形化頂電極或陰陽電極；

S3.在AlN薄膜和頂電極表面轉移一層石墨烯/PMMA復合電極，或在AlN薄膜和陰電極表面及AlN薄膜和陽電極表面各轉移一層石墨烯/PMMA復合電極，陰陽電極表面的石墨烯/PMMA復合電極間隔設置，其中所述石墨烯/PMMA復合電極的制備方法為：在銅箔上制備單層石墨烯薄膜，在石墨烯薄膜表面旋涂PMMA后液相腐蝕銅箔；

S4.將頂電極或陰陽電極表面的PMMA蝕刻去除，即得光電雙通道器件。

2.根據權利要求1所述的全光譜光電雙通道器件的制備方法，其特征在于，步驟S2中，所述頂電極為Ni/Au薄膜，陽電極為Ni/Au薄膜，陰電極為Al/Ni/Au薄膜。

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