[發(fā)明專利]一種鈣鈦礦電池

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011556032.1
• 申請日: 2020-12-24
• 公開（公告）號: CN112786788B
• 公開（公告）日: 2022-12-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 解俊杰;徐琛;李子峰;吳兆;靳金玲
• 申請（專利權(quán)）人: 隆基綠能科技股份有限公司
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L51/46
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319
• 代理人: 趙娟

1.一種鈣鈦礦電池，其特征在于，所述鈣鈦礦電池包括碳化硅襯底，以及在所述碳化硅襯底的一側(cè)依次層疊的石墨烯層和富勒烯基電子傳輸層，所述石墨烯層在所述碳化硅襯底的一側(cè)通過熱升華法外延生長得到；

所述鈣鈦礦電池還包括所述富勒烯基電子傳輸層遠離所述石墨烯層的方向上依次設(shè)置的鈣鈦礦層、空穴傳輸層和上電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦電池，其特征在于，所述富勒烯基電子傳輸層包括富勒烯或富勒烯衍生物形成的單層膜，或富勒烯和富勒烯衍生物組合成的多層復(fù)合膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鈣鈦礦電池，其特征在于，所述富勒烯包括C₆₀、C₇₀、C₇₆、C₇₈、C₈₀和C₈₄中的至少一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鈣鈦礦電池，其特征在于，所述富勒烯衍生物包括1',1',4',4'-四氫-二[1,4]甲烷萘[1,2:2',3',56,60:2',3'][5,6]富勒烯-C₆₀、[6,6]-苯基C₆₁丁酸甲酯、[6,6]-苯基C₇₁丁酸甲酯、C₆₀摻雜聚甲基丙烯酸甲酯、C₇₀摻雜聚甲基丙烯酸甲酯、C₆₀吡咯烷三羧酸、N,2-二苯基[60]富勒烯吡咯烷中的至少一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦電池，其特征在于，所述石墨烯層的厚度為0.1nm～10nm；

所述富勒烯基電子傳輸層的厚度為1nm～500nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦電池，其特征在于，所述鈣鈦礦電池還包括至少一層功能層，所述功能層用于調(diào)節(jié)能級匹配和界面勢壘，所述功能層位于以下至少一個位置：

所述富勒烯基電子傳輸層與所述鈣鈦礦層之間；

所述鈣鈦礦層與所述空穴傳輸層之間；

所述空穴傳輸層與所述上電極之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦電池，其特征在于，所述碳化硅襯底包括三方碳化硅、六方碳化硅、立方碳化硅中任一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦電池，其特征在于，所述鈣鈦礦層的材料包括有機-無機雜化鹵化物鈣鈦礦、全無機鹵化物鈣鈦礦、無鉛鈣鈦礦中的任一種；

所述鈣鈦礦層的厚度為1nm～2000nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦電池，其特征在于，所述空穴傳輸層的材料包括功函數(shù)小于或等于3eV的p型半導(dǎo)體材料、功函數(shù)大于或等于5eV的n型半導(dǎo)體材料中的任一種；

所述空穴傳輸層的厚度為1nm～500nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦電池，其特征在于，所述上電極的材料包括透明導(dǎo)電材料、金屬材料、碳材料中的任一種；

所述上電極的厚度為1nm～200μm。