[發(fā)明專利]晶圓化學(xué)處理裝置及晶圓化學(xué)處理方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011555811.X | 申請(qǐng)日: | 2020-12-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN114678290A | 公開(公告)日: | 2022-06-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 姜喆求;盧一泓;胡艷鵬;李琳;張?jiān)?/a>;王佳 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所;真芯(北京)半導(dǎo)體有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京蘭亭信通知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11667 | 代理人: | 趙永剛 |
| 地址: | 100029 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 化學(xué) 處理 裝置 方法 | ||
本發(fā)明提供一種晶圓化學(xué)處理裝置及晶圓化學(xué)處理方法,其中晶圓化學(xué)處理裝置包括:槽體、槽蓋、測(cè)壓器和氣壓調(diào)控模塊;所述槽體的上表面開設(shè)有開口,所述開口用于提供晶圓進(jìn)行化學(xué)處理的腔室;所述槽蓋與所述槽體連接,所述槽蓋與所述開口適配,所述槽蓋用于將所述腔室形成密閉的空間;所述測(cè)壓器固定設(shè)置在所述腔室內(nèi);所述氣體調(diào)控模塊用于根據(jù)測(cè)壓器的測(cè)量結(jié)果,調(diào)節(jié)所述腔室內(nèi)的壓強(qiáng)。本發(fā)明能夠通過調(diào)節(jié)腔室內(nèi)的壓強(qiáng),以穩(wěn)定化學(xué)液的沸騰狀態(tài),從而提高晶圓進(jìn)行化學(xué)處理的效果。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種晶圓化學(xué)處理裝置及晶圓化學(xué)處理方法。
背景技術(shù)
在晶圓加工的過程中,特別是槽式清洗設(shè)備在通過化學(xué)試劑對(duì)晶圓表面進(jìn)行處理的過程中,對(duì)晶圓處理的槽內(nèi)的氣壓要求很高。因?yàn)椋蹆?nèi)氣壓的高低直接影響化學(xué)試劑的沸點(diǎn),氣壓升高化學(xué)液沸點(diǎn)升高,氣壓降低化學(xué)液沸點(diǎn)降低。
具體的,在通過化學(xué)試劑對(duì)晶圓進(jìn)行處理的過程中,通常由于化學(xué)試劑的沸點(diǎn)較低導(dǎo)致化學(xué)試劑在槽內(nèi)沸騰的過于激烈,從而容易產(chǎn)生飛濺,對(duì)設(shè)備造成污染,甚至?xí)?duì)晶圓造成損壞。
另外,通常槽式清洗設(shè)備的化學(xué)液為敞口非密閉式,受環(huán)境氣壓變化的影響較大。由于凈化間環(huán)境壓力容易發(fā)生變化,從而易導(dǎo)致化學(xué)液沸點(diǎn)的變化,最終導(dǎo)致清洗、腐蝕效果不佳、重復(fù)性差等問題。
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問題,本發(fā)明提供的晶圓化學(xué)處理裝置及晶圓化學(xué)處理方法,通過向晶圓提供一個(gè)進(jìn)行化學(xué)處理的密閉的腔室,且通過氣壓調(diào)控模塊能夠調(diào)節(jié)腔室內(nèi)的壓強(qiáng),進(jìn)而改變化學(xué)試劑的沸點(diǎn),穩(wěn)定化學(xué)液反應(yīng)時(shí)的沸騰狀態(tài),避免晶圓在進(jìn)行化學(xué)處理的過程中化學(xué)試劑沸騰停止或沸騰的過于激烈,從而能夠有效提高晶圓的處理效果。
第一方面,本發(fā)明提供一種晶圓化學(xué)處理裝置,包括:槽體、槽蓋、測(cè)壓器和氣壓調(diào)控模塊;
所述槽體的上表面開設(shè)有開口,所述開口用于提供晶圓進(jìn)行化學(xué)處理的腔室;
所述槽蓋與所述槽體連接,所述槽蓋與所述開口適配,所述槽蓋用于將所述腔室形成密閉的空間;
所述測(cè)壓器固定設(shè)置在所述腔室內(nèi);
所述氣體調(diào)控模塊用于根據(jù)測(cè)壓器的測(cè)量結(jié)果,調(diào)節(jié)所述腔室內(nèi)的壓強(qiáng)。
可選地,所述氣體調(diào)控模塊包括:進(jìn)氣管和進(jìn)氣控制閥;
所述進(jìn)氣管與所述槽體連接,所述進(jìn)氣控制閥與所述進(jìn)氣管連接;
所述進(jìn)氣管包括:進(jìn)氣端和出氣端,所述進(jìn)氣端位于所述槽體的外側(cè),所述出氣端位于所述腔室內(nèi)。
可選地,所述進(jìn)氣管包括:第一氣管和第二氣管;
所述第一氣管和所述第二氣管均與所述槽體連接;所述第一氣管的進(jìn)氣端和所述第二氣管的進(jìn)氣端均位于所述槽體的外側(cè),所述第一氣管的出氣端和所述第二氣管的出氣端均位于所述腔室內(nèi),所述第一氣管用于輸送空氣,所述第二氣管用于輸送氮?dú)狻?/p>
可選地,所述氣體調(diào)控裝置還包括:出氣管和出氣控制閥;
所述出氣管與所述槽體連接,所述出氣控制閥與所述出氣管連接;
所述出氣管的一端位于所述槽體的外側(cè),所述出氣管的另一端位于所述腔室內(nèi)。
可選地,所述腔室內(nèi)設(shè)置有清洗槽,所述清洗槽用于盛放化學(xué)試劑;
所述清洗槽的槽口朝上,所述出氣端、所述測(cè)壓器和所述出氣管的一端均位于所述清洗槽的上方。
可選地,所述氣壓調(diào)控模塊還包括:控制器;
所述控制器分別與所述進(jìn)氣控制閥和所述出氣控制閥電連接;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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