[發明專利]半導體工藝設備的工藝腔室及半導體工藝設備有效
| 申請號: | 202011554924.8 | 申請日: | 2020-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN112813419B | 公開(公告)日: | 2022-10-21 |
| 發明(設計)人: | 田西強 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/458 | 分類號: | C23C16/458;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京思創畢升專利事務所 11218 | 代理人: | 孫向民;廉莉莉 |
| 地址: | 100176 北京市大*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 工藝設備 工藝 | ||
1.一種半導體工藝設備的工藝腔室,其特征在于,所述工藝腔室內設有可升降的基座,所述基座中設有多個支撐針;
所述基座上沿豎直方向設有多個貫穿所述基座上下表面的針孔,所述針孔的頂端設有密封凹槽,所述基座的下表面設有與多個所述針孔一一對應的擋環;
多個所述支撐針一一對應的穿設于所述針孔和所述擋環中,所述支撐針的長度大于所述基座的厚度與所述擋環的高度之和,所述支撐針的頂端設有密封頭,所述密封頭的形狀與所述密封凹槽匹配,所述支撐針的底端設有定位塊,所述定位塊與所述擋環之間套設有處于壓縮狀態的彈性件,所述基座上升至工藝位時,所述密封頭與所述密封凹槽密封配合;
所述工藝腔室的底壁上設有定位板,所述定位板的上表面設有形狀與所述定位塊匹配的第一定位部,所述基座下降至傳輸位時,所述定位塊與所述第一定位部定位配合,所述支撐針從所述基座上表面伸出。
2.根據權利要求1所述的半導體工藝設備的工藝腔室,其特征在于,所述擋環包括與所述基座下表面固定連接的連接部以及設于所述連接部下方的管狀限位部,所述連接部上設有與所述針孔同軸的通孔,所述彈性件至少部分位于所述管狀限位部中。
3.根據權利要求1所述的半導體工藝設備的工藝腔室,其特征在于,所述針孔的直徑大于等于所述支撐針直徑的1.01倍,且小于所述密封頭的最大直徑。
4.根據權利要求1所述的半導體工藝設備的工藝腔室,其特征在于,所述定位板的底部設有定位件,所述工藝腔室的底壁上設有第二定位部,所述定位件與所述第二定位部定位配合。
5.根據權利要求1所述的半導體工藝設備的工藝腔室,其特征在于,所述定位塊上設有凸臺,所述第一定位部形狀與所述凸臺匹配的凹槽;
或者,所述定位塊上設有凹槽,所述第一定位部為形狀與所述凹槽匹配的凸臺。
6.根據權利要求5所述的半導體工藝設備的工藝腔室,其特征在于,所述凸臺的形狀為錐形或球形,所述凹槽內壁為錐面或球面。
7.根據權利要求4所述的半導體工藝設備的工藝腔室,其特征在于,所述定位件為定位銷,所述第二定位部為定位孔。
8.根據權利要求1-7任一項所述的半導體工藝設備的工藝腔室,其特征在于,所述定位板中設有調平件,用于調整所述定位板的水平度。
9.根據權利要求1-7任一項所述的半導體工藝設備的工藝腔室,其特征在于,所述定位板中設有加熱件,用于加熱所述定位板,使所述定位板與所述基座的溫度保持同步。
10.一種半導體工藝設備,其特征在于,包括如權利要求1-9任一項所述的半導體工藝設備的工藝腔室。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





