[發明專利]一種IV-VI族半導體薄膜及其制備方法

有效

• 申請號: 202011554008.4
• 申請日: 2020-12-24
• 公開（公告）號: CN112687801B
• 公開（公告）日: 2022-10-28
• 發明（設計）人: 曾祥斌;肖永紅;胡一說;陸晶晶;王文照;王士博;周宇飛;王君豪;王曦雅;張茂發;陳鐸
• 申請（專利權）人: 華中科技大學
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L51/00;H01L51/48
• 代理公司: 華中科技大學專利中心 42201
• 代理人: 李智

1.一種IV-VI族半導體薄膜的制備方法，其特征在于，包括：

(1)將A和B混合后加入C溶液得到前驅體溶液，A為醋酸鉛或者氯化鉛，B為硫脲或者硒脲，C為二甲基甲酰胺；

(2)將所述前驅體溶液旋涂在襯底上，烘干得到前驅體溶質；

(3)用紅外激光器照射所述前驅體溶質，利用紅外激光的熱效應，使所述前驅體溶質吸收紅外激光的瞬時熱量達到其分子解離能，進而使所述前驅體溶質發生分解反應生成IV-VI族半導體薄膜沉積在襯底上；其中，所述紅外激光器輸出功率為15W～18W、掃描速度為5～20mm/s、線間距為0.01～0.1mm，照射在真空環境或者惰性氣氛下進行。

2.如權利要求1所述的一種IV-VI半導體薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)包括：

將A和B混合后加入C溶液，密閉磁力攪拌1～2小時、反應溫度為40℃～80℃、磁力攪拌轉速為1000～1800rpm，得到前驅體溶液；其中，A為醋酸鉛或者氯化鉛，B為硫脲或者硒脲，C為二甲基甲酰胺。

3.如權利要求2所述的一種IV-VI族半導體薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)包括：

用移液槍吸取100ul～200ul的前驅體溶液滴在襯底上，用1500～3000rpm的轉速旋涂30～60s，在50～100℃下烘干1～5min，得到前驅體溶質。

4.如權利要求1至3任一項所述的一種IV-VI族半導體薄膜的制備方法，其特征在于，所述紅外激光器為固體紅外激光器或光纖紅外激光器。

5.如權利要求1至3任一項所述的一種IV-VI族半導體薄膜的制備方法，其特征在于，所述紅外激光器的掃描方式為線掃描或面掃描。

6.如權利要求1至3任一項所述的一種IV-VI族半導體薄膜的制備方法，其特征在于，所述襯底為SiO₂/Si、陶瓷片、或聚酰亞胺。

7.如權利要求1所述的一種IV-VI族半導體薄膜的制備方法，其特征在于，所述襯底為SiO₂/Si時，所述SiO₂/Si基片的氧化層厚度為50nm～300nm。

8.一種IV-VI族半導體薄膜，其特征在于，所述IV-VI族半導體薄膜由權利要求1至7任一項所述的方法制備得到。