[發明專利]帶有彎曲beam的單片集成電路及其制備方法

在審

• 申請號: 202011553984.8
• 申請日: 2020-12-24
• 公開（公告）號: CN112670261A
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發明（設計）人: 劉育青;張志國;安國雨;張洋陽;李少鵬;郭黛翡
• 申請（專利權）人: 北京國聯萬眾半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L23/49
• 分類號: H01L23/49;H01L21/60
• 代理公司: 河北冀華知識產權代理有限公司 13151
• 代理人: 王占華

1.一種帶有彎曲beam的單片集成電路，其特征在于：包括毫米波單片集成電路模塊（1），所述集成電路模塊模塊上形成有彎曲的梁式引線（2），所述梁式引線（2）的起點和終端位于同一水平面上。

2.如權利要求1所述的帶有彎曲beam的單片集成電路，其特征在于：所述梁式引線（2）采用拱橋式設計，且所述梁式引線（2）的中部拱起。

3.一種帶有彎曲beam的單片集成電路的制作方法，其特征在于包括如下步驟：

制作毫米波單片集成電路模塊（1）；

在所述毫米波單片集成電路模塊（1）上制作帶有彎曲的梁式引線（2）。

4.如權利要求3所述的帶有彎曲beam的單片集成電路的制作方法，其特征在于：

首先是進行涂覆光刻膠，然后在需要制作梁式引線的區域進行光刻，只保留該區域的光刻膠，然后對光刻膠進行加熱，導電膠加熱后形成拱橋結構，即中間高，兩端低的結構，此時對整個毫米波集成電路和梁式引線區域進行濺射，在濺射工藝過后，再次涂覆光刻膠，將需要進行制作梁式引線的區域進行光刻，然后進行電鍍加厚，電鍍加厚以后，對原濺射層的金屬進行腐蝕，去掉濺射層金屬后，對最底部的正膠采用去膠工藝將其去除，此時完成彎曲梁式引線的制作。

5.如權利要求4所述的帶有彎曲beam的單片集成電路的制作方法，其特征在于：加熱溫度為120°。

6.如權利要求4所述的帶有彎曲beam的單片集成電路的制作方法，其特征在于：第一次涂覆光刻膠時采用正膠系列。

7.如權利要求4所述的帶有彎曲beam的單片集成電路的制作方法，其特征在于：所述梁式引線厚度為2微米以上。

8.如權利要求4所述的帶有彎曲beam的單片集成電路的制作方法，其特征在于：第二次涂覆光刻膠時采用負膠系列。