[發(fā)明專利]一種用于電磁波調(diào)控的反射式超表面單元結(jié)構(gòu)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011553029.4 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-24 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN114665276A | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-06-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 武超;李宏強(qiáng);李權(quán);趙松;張智輝 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 同濟(jì)大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01Q15/00 | 分類號(hào): | H01Q15/00 |
| 代理公司: | 北京天達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11386 | 代理人: | 龐許倩 |
| 地址: | 200092 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 電磁波 調(diào)控 反射 表面 單元 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種用于電磁波調(diào)控的反射式超表面單元結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:沿電磁波正入射方向依次排列的矩形導(dǎo)體片、介質(zhì)層以及導(dǎo)體板,所述介質(zhì)層覆蓋所述導(dǎo)體板,所述矩形導(dǎo)體片和所述導(dǎo)體板為該電磁波頻段下對(duì)應(yīng)的完美電導(dǎo)體;
其中,所述矩形導(dǎo)體片、介質(zhì)層和導(dǎo)體板具有相同的幾何中心,且所述矩形導(dǎo)體片的長(zhǎng)軸與導(dǎo)體板的水平軸呈預(yù)定夾角,所述預(yù)定夾角為矩形導(dǎo)體片的方向角,所述方向角與該電磁波的幅度和相位相關(guān)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射式超表面單元結(jié)構(gòu),其特征在于,所述導(dǎo)體片的方向角與線極化入射電磁波轉(zhuǎn)極化反射系數(shù)的幅度滿足下述關(guān)系:
A1=A1(45°)|sin(2θ1)|,
其中,θ1表示導(dǎo)體片的方向角,所述方向角的取值范圍為(-180°,180°],A1表示線極化入射電磁波轉(zhuǎn)極化反射系數(shù)的幅度,A1(45°)表示導(dǎo)體片的方向角θ1為45°時(shí),線極化入射電磁波轉(zhuǎn)極化反射系數(shù)的幅度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射式超表面單元結(jié)構(gòu),其特征在于,所述導(dǎo)體片的方向角與線極化入射電磁波同極化反射系數(shù)的幅度滿足下述關(guān)系:
A2=A2(0°)|cos(2θ2)|,
其中,θ2表示導(dǎo)體片的方向角,所述方向角的取值范圍為(-180°,180°],A2表示線極化入射電磁波同極化反射系數(shù)的幅度,A2(0°)表示導(dǎo)體片的方向角θ2為0°時(shí),線極化入射電磁波同極化反射系數(shù)的幅度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反射式超表面單元結(jié)構(gòu),其特征在于,所述導(dǎo)體片的方向角取值范圍為(-180°,-90°]或(0°,+90°]時(shí),線極化入射電磁波轉(zhuǎn)極化反射系數(shù)的相位值為第一相位值,所述導(dǎo)體片的方向角取值范圍為(-90°,0°]或(+90°,+180°]時(shí),線極化入射電磁波轉(zhuǎn)極化反射系數(shù)的相位值為第二相位值,所述第一相位值和第二相位值的相位差為180°。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的反射式超表面單元結(jié)構(gòu),其特征在于,所述導(dǎo)體片的方向角取值范圍為(-45°,+45°]、(-180°,-135°]或(+135°,+180°]時(shí),線極化入射電磁波同極化反射系數(shù)的相位值為第一相位值,所述導(dǎo)體片的方向角取值范圍為(-135°,-45°]或(+45°,+135°]時(shí),線極化入射電磁波同極化反射系數(shù)的相位值為第二相位值,所述第一相位值和第二相位值的相位差為180°。
6.一種艾利波束產(chǎn)生器,其特征在于,包括權(quán)利要求1、2、4任一項(xiàng)所述的反射式超表面單元結(jié)構(gòu)組成的二維陣列和電磁波發(fā)生裝置;
其中,在所述二維陣列的第一維度上,每個(gè)超表面單元結(jié)構(gòu)的導(dǎo)體片的方向角的大小,與艾利波束在所述超表面單元結(jié)構(gòu)位置處的口徑幅度相對(duì)應(yīng);每個(gè)超表面單元結(jié)構(gòu)的導(dǎo)體片的方向角的取值范圍,與艾利波束在所述超表面單元結(jié)構(gòu)位置處的口徑相位相對(duì)應(yīng)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的艾利波束產(chǎn)生器,其特征在于,所述導(dǎo)體片和導(dǎo)體板的厚度均為0.018mm,所述導(dǎo)體片的長(zhǎng)度為7.55mm、寬度為2mm,所述導(dǎo)體板的邊長(zhǎng)為10mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的艾利波束產(chǎn)生器,其特征在于,所述介質(zhì)層的邊長(zhǎng)為10mm,厚度為3mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的艾利波束產(chǎn)生器,其特征在于,所述介質(zhì)層的材料為無(wú)損電介質(zhì)材料。
10.一種艾利波束產(chǎn)生器,其特征在于,包括權(quán)利要求3或5所述的反射式超表面單元結(jié)構(gòu)組成的二維陣列和電磁波發(fā)生裝置;
其中,在所述二維陣列的第一維度上,每個(gè)超表面單元結(jié)構(gòu)的導(dǎo)體片的方向角的大小,與艾利波束在所述超表面單元結(jié)構(gòu)位置處的口徑幅度相對(duì)應(yīng);每個(gè)超表面單元結(jié)構(gòu)的導(dǎo)體片的方向角的取值范圍,與艾利波束在所述超表面單元結(jié)構(gòu)位置處的口徑相位相對(duì)應(yīng)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于同濟(jì)大學(xué),未經(jīng)同濟(jì)大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011553029.4/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。





