[發(fā)明專利]一種負(fù)壓電荷泵的放電電路及非易失型儲存器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011552574.1
• 申請日: 2020-12-24
• 公開（公告）號: CN112600410B
• 公開（公告）日: 2022-01-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐明揆;吳彤彤;劉夢
• 申請（專利權(quán)）人: 芯天下技術(shù)股份有限公司
• 主分類號: H02M3/07
• 分類號: H02M3/07;H02J7/00
• 代理公司: 佛山市海融科創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44377
• 代理人: 陳志超;唐敏珊

1.一種負(fù)壓電荷泵的放電電路，其特征在于，包括互相連接的負(fù)壓電荷泵放電電路本體和恒流放電電路；在負(fù)壓電荷泵初始放電階段，通過恒流放電電路使負(fù)壓電荷泵以恒定的電流放電，在負(fù)壓電荷泵的輸出電壓VEE1放電下降到某一限定電壓后，使負(fù)壓電荷泵切換到負(fù)壓電荷泵放電電路本體進(jìn)行放電；

所述負(fù)壓電荷泵放電電路本體包括電平轉(zhuǎn)換模塊Level shifter1、放電晶體管nm01和電容Cload，所述電平轉(zhuǎn)換模塊Level shifter1連接使能信號EN1，電平轉(zhuǎn)換模塊Levelshifter1連接電源電壓VCC1，電平轉(zhuǎn)換模塊levelshifter連接負(fù)壓電荷泵的輸出電壓VEE1，電平轉(zhuǎn)換模塊level shifter1與放電晶體管nm01的柵極連接，放電晶體管nm01的漏極與恒流放電電路連接，放電晶體管nm01的源極與負(fù)壓電荷泵的輸出電壓VEE1連接，放電晶體管nm01的源極與電容Cload一端連接，電容Cload另一端接地；

所述恒流放電電路包括為放電通路提供恒定電流的第一電流鏡、第二電流鏡、第三電流鏡和第四電流鏡；

所述第一電流鏡為第二nmos管nm2，第二電流鏡為第三nmos管nm3，第三電流鏡為第三pmos管pm3，第四電流鏡為第二pmos管pm2；所述第二pmos管pm2的漏極與放電晶體管nm01的漏極連接，第二pmos管pm2的源極與第三pmos管pm3的源極均連接電源電壓VCC1，第二pmos管pm2的柵極與第三pmos管pm3的柵極連接，第三pmos管pm3的漏極與第三pmos管pm3的柵極連接在一起后與第三nmos管nm3的漏極連接，第三nmos管nm3的源極與第二nmos管nm2的源極均接地，第二nmos管nm2的柵極與第三nmos管nm3的柵極連接，第二nmos管nm2的柵極與第二nmos管nm2的漏極連接在一起后連接恒定電流源I0。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)壓電荷泵的放電電路，其特征在于，所述恒流放電電路還包括用于減小第二pmos管pm2和放電晶體管nm01之間的壓差的壓差減少模塊。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的負(fù)壓電荷泵的放電電路，其特征在于，所述壓差減少模塊包括第一nmos管nm1、第二電阻R1、第一pmos管pm1和第一電阻R0，所述第一nmos管nm1的源極和體極均與負(fù)壓電荷泵放電電路本體連接，第一nmos管nm1的柵極與第一pmos管pm1的柵極連接在一起后與第一電阻R0的一端連接，第一電阻R0另一端接地，第一nmos管nm1的漏極與第二電阻R1一端連接，第二電阻R1另一端與第一pmos管pm1的漏極連接，第一pmos管pm1的源極與第二pmos管pm2的漏極連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)壓電荷泵的放電電路，其特征在于，所述恒流放電電路還包括第四pmos管pm4，所述第二nmos管nm2的柵極與第二nmos管nm2的漏極連接在一起后與第四pmos管pm4的漏極連接，第四pmos管pm4的柵極連接使能信號EN1，第四pmos管pm4的源極連接恒定電流源I0。

5.一種非易失型儲存器，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至4任一所述的負(fù)壓電荷泵的放電電路。