[發明專利]微LED結構和彩色顯示裝置

在審

• 申請號: 202011551204.6
• 申請日: 2020-12-24
• 公開（公告）號: CN112670379A
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發明（設計）人: 劉久澄;龔政;郭嬋;潘章旭;王建太;鄒勝晗;龔巖芬;陳志濤
• 申請（專利權）人: 廣東省科學院半導體研究所
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/10;H01L33/26;H01L33/50;G09F9/33
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 嚴誠

1.一種微LED結構，其特征在于，所述微LED結構包括：

發光層(130)，至少包含電激發材料和/或光激發材料，以實現多波長激發；

反射層(110)，位于所述發光層(130)的一側；

顏色選擇層(120)，位于所述發光層(130)的另一側，所述顏色選擇層(120)用于選擇一種顏色的光透過。

2.根據權利要求1所述的微LED結構，其特征在于，所述發光層(130)包括：

量子阱層(131)，用于電激發光；

P型半導體層(132)，位于所述量子阱層(131)的一側；

N型半導體層(133)，位于所述量子阱層(131)的另一側，所述N型半導體層(133)相對于所述P型半導體層(132)遠離所述反射層(110)。

3.根據權利要求2所述的微LED結構，其特征在于，所述P型半導體層(132)上遠離所述N型半導體層(133)的一側開設有孔，所述發光層(130)還包括：

波長轉換材料(134)，設置在所述孔內。

4.根據權利要求3所述的微LED結構，其特征在于，所述孔的深度小于所述P型半導體層(132)的厚度，所述孔延伸到所述P型半導體層(132)的部分材料中。

5.根據權利要求3所述的微LED結構，其特征在于，所述孔的深度大于所述P型半導體層(132)與所述量子阱層(131)的厚度之和、且小于所述P型半導體層(132)、所述量子阱層(131)與所述N型半導體層(133)的厚度之和，所述孔依次貫穿所述P型半導體層(132)和所述量子阱層(131)、且延伸到所述N型半導體層(133)的部分材料中。

6.根據權利要求3所述的微LED結構，其特征在于，所述顏色選擇層(120)為包括微納結構的光波濾波器，所述波長轉換材料(134)包括量子點或熒光粉。

7.一種彩色顯示裝置，其特征在于，所述彩色顯示裝置包括多個權利要求1所述的微LED結構。

8.根據權利要求7所述的彩色顯示裝置，其特征在于，所述彩色顯示裝置還包括：

驅動電路基板(210)，多個所述微LED結構陣列連接在所述驅動電路基板(210)上。

9.根據權利要求7所述的彩色顯示裝置，其特征在于，所述發光層(130)包括：

量子阱層(131)，用于電激發光；

P型半導體層(132)，位于所述量子阱層(131)的一側；

N型半導體層(133)，位于所述量子阱層(131)的另一側；

其中，相鄰兩個所述微LED結構中的所述N型半導體層(133)相互間隔設置。

10.根據權利要求7所述的彩色顯示裝置，其特征在于，所述發光層(130)包括：

量子阱層(131)，用于電激發光；

P型半導體層(132)，位于所述量子阱層(131)的一側；

N型半導體層(133)，位于所述量子阱層(131)的另一側；

其中，相鄰兩個所述微LED結構中的所述N型半導體層(133)相互連接設置。