[發明專利]一種將正構烷烴轉化為全共軛多烯的方法

在審

• 申請號: 202011551158.X
• 申請日: 2020-12-24
• 公開（公告）號: CN114656321A
• 公開（公告）日: 2022-06-24
• 發明（設計）人: 遲力峰;張海明;李雪超;牛凱豐;張俊杰;郝爭明
• 申請（專利權）人: 蘇州大學
• 主分類號: C07C5/333
• 分類號: C07C5/333;C07C11/21;C07C15/44;C07C15/58;C07C29/00;C07C33/02
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 劉娜;劉金輝

1.一種將正構烷烴轉化為全共軛多烯的方法，其特征在于，使用過渡金屬表面，選自ZnO、CuO_x和TiO₂的金屬氧化物表面，負載過渡金屬的選自ZnO、CuO_x和TiO₂的氧化物表面以及負載過渡金屬的直孔分子篩作為催化劑。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述正構烷烴具有如下結構

式：

其中，R和R’彼此獨立地選自：

氫原子；

C₁-C₆烷基、C₆-C₁₀芳基、C₁₀-C₁₆稠合芳基，優選苯基、萘基，其未被取代或被一個或多個鹵素如氯、溴、碘取代；

含氧官能團取代的基團，例如羥基、羰基、醛基、碳酸酯基、羧基、過氧基及醚；

含氮官能團取代的基團，例如胺基、亞胺基、酰亞胺基、疊氮根、偶氮基、氰基、氰酸酯基、硝基、亞硝基、硝酸酯基、吡啶基；和

其他化學官能團，例如膦、磷酸酯、亞磷酸酯、硫醚、磺酰基、亞磺酰基、磺酸基、巰基、硫氰酸酯基及二硫鍵；

n為正整數，優選n≥8，更優選n≥16。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述過渡金屬表面具有碳氫鍵活化能力且包含一維限域結構。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其特征在于，所述過渡金屬選自金、銀、銅、鉑、鈀、鋅、鐵或鎳，優選金、銀或銅，更優選銅。

5.根據權利要求3-4中任一項所述的方法，其特征在于，所述過渡金屬的限域表面為(110)晶面及具有二維溝槽結構的晶面，以及臺階寬度小于2納米的高指數晶面。

6.根據權利要求1-5中任一項所述的方法，其特征在于，所述正構烷烴通過有機分子束外延技術、電噴霧電離技術或固液界面分子自組裝沉積到所述催化劑，例如過渡金屬表面上。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述沉積在襯底溫度不超過250℃的條件下進行，優選-250℃至250℃，更優選0℃-200℃的溫度下進行。

8.根據權利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述沉積以得到滿催化劑表面覆蓋地樣品為終止。

9.根據權利要求6-8中任一項所述的方法，其特征在于，在利用有機分子束外延技術或電噴霧電離技術時，所述沉積的真空環境優于10^-7毫巴，優選10^-7毫巴-10^-12毫巴，更優選10^-9-10^-12毫巴。

10.根據權利要求6-9中任一項所述的方法，其特征在于：在所述沉積之后，所述烷烴在超過10^-7毫巴，優選10^-7-10^-12毫巴，更優選10^-9-10^-12毫巴的超高真空環境下和不超過200℃，優選25℃-200℃，更優選120℃-180℃的溫度下保持10分鐘及以上，優選10分鐘-1000分鐘，更優選30分鐘-90分鐘的時間。