[發(fā)明專利]一種高分辨率的正電子發(fā)射型計算機斷層顯像系統(tǒng)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011550171.3 | 申請日: | 2020-12-24 |
| 公開(公告)號: | CN112754509A | 公開(公告)日: | 2021-05-07 |
| 發(fā)明(設計)人: | 許劍鋒;于洪森;張熙;杜菁;謝思維;彭旗宇 | 申請(專利權)人: | 華中科技大學 |
| 主分類號: | A61B6/03 | 分類號: | A61B6/03 |
| 代理公司: | 華中科技大學專利中心 42201 | 代理人: | 孔娜;李智 |
| 地址: | 430074 湖北*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 高分辨率 正電子 發(fā)射 計算機 斷層 顯像 系統(tǒng) | ||
1.一種高分辨率的正電子發(fā)射型計算機斷層顯像系統(tǒng),其特征在于,包括探測器和多通道讀出電子電路,其中:
所述探測器包括多個探測器模塊,該多個探測器模塊相互耦合共同構成一環(huán)狀的檢測空間;所述探測器模塊包括由內至外依次設置的閃爍晶體(1)、楔形光導(2)、硅光電倍增管陣列(4),所述閃爍晶體(1)包括多個晶條(6),且晶條(6)間均設置有反射鍍層(5);所述多通道讀出電子電路用于處理所述探測器輸出的電信號,進而完成成像。
2.如權利要求1所述的高分辨率的正電子發(fā)射型計算機斷層顯像系統(tǒng),其特征在于,所述閃爍晶體(1)包括呈陣列狀的多個晶條(6),所述硅光電倍增管陣列(4)包括呈陣列狀的多個硅光電倍增管(3),且一個硅光電倍增管(3)對應耦合多個晶條(6)。
3.如權利要求1所述的高分辨率的正電子發(fā)射型計算機斷層顯像系統(tǒng),其特征在于,所述晶條(6)橫截面尺寸小于0.5mm×0.5mm。
4.如權利要求1所述的高分辨率的正電子發(fā)射型計算機斷層顯像系統(tǒng),其特征在于,所述楔形光導(2)由亞克力或透明樹脂制成。
5.如權利要求1所述的高分辨率的正電子發(fā)射型計算機斷層顯像系統(tǒng),其特征在于,所述反射鍍層(5)為硫酸鋇鍍層。
6.如權利要求1所述的高分辨率的正電子發(fā)射型計算機斷層顯像系統(tǒng),其特征在于,所述多通道讀出電子電路包括依次相連的數(shù)據(jù)傳輸排線、電路模擬板和FPGA,所述硅光電倍增管陣列(4)通過數(shù)據(jù)傳輸排線與電路模擬板相連。
7.如權利要求1-6任一項所述的高分辨率的正電子發(fā)射型計算機斷層顯像系統(tǒng),其特征在于,還包括機架,其通過光敏樹脂3D打印而成,所述探測器和多通道讀出電子電路分別安裝在該機架兩端。
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