[發明專利]半導體器件的制造方法

在審

• 申請號: 202011549892.2
• 申請日: 2020-12-24
• 公開（公告）號: CN113053758A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 陳建勛;余振華;吳俊毅;吳凱強;梁裕民;王彥評
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/56;H01L21/768;H01L23/31;H01L23/48;H01L23/498;H01L23/538
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

1.一種半導體器件的制造方法，包括：

在載體襯底上方沉積第一介電層；

在所述第一介電層上方沉積第一導電層；

在所述第一導電層上方形成第一穿孔；

將局部內連線器件附接到鄰近于所述第一穿孔的所述第一導電層；

將所述局部內連線器件和所述第一穿孔包封于第一模塑化合物中；

在所述局部內連線器件和所述第一模塑化合物上方形成第二介電層；

在所述局部內連線器件的內連線穿孔上方形成第二穿孔；

在所述第一穿孔上方形成第三穿孔；以及

將所述第三穿孔和所述第二穿孔包封于第二模塑化合物中。