[發明專利]基板移轉方法及裝置

在審

• 申請號: 202011547785.6
• 申請日: 2020-12-24
• 公開（公告）號: CN113903696A
• 公開（公告）日: 2022-01-07
• 發明（設計）人: 林柏育;陳正欽
• 申請（專利權）人: 荌益國際有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/677
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

本發明提供一種基板移轉方法及裝置，能解決晶圓擴片制程后、擴片鐵圈組所造成的厚度問題。將所述基板由一膠膜移轉到另一膠膜上，使用較薄的框架來置換所述晶圓擴片制程所使用的所述擴片鐵圈組，以利晶圓擴片后的后續制程。

技術領域

本發明涉及一種基板移轉方法及裝置，特別是涉及一種包括在基板上貼附膠膜、移轉基板、以及撕除膠膜的方法及裝置。

背景技術

整片的晶圓(Wafer)經過切割后，會形成一顆顆的裸晶(Die)。每顆裸晶之間的間距大約在小于10μm，甚至經過隱形雷射切割后，每顆裸晶間無明顯間距。在如此的相對尺度下，當切割過后的裸晶在運送或是取晶的過程中，若是發生碰撞，裸晶的邊緣便會發生碎裂。

在習知技術中，為解決切割后的裸晶可能發生的碰撞問題，在切割晶圓的制程之后，會進行晶圓擴片制程。在晶圓切割前，其底面預先貼附有具延展性的擴片膠膜；在晶圓切割、分離出裸晶后，將擴片膠膜均勻的延展，便能夠同時的均勻拉開每顆裸晶之間的間距。經過晶圓擴片制程后，每顆裸晶之間的間距將會加大到10～15μm，藉以確保每顆裸晶在運送或是取晶的過程中，不會發生碰撞或損毀。

為保持每顆裸晶之間的距離得以維持，擴片膠膜的延展狀態就必須被保持住。在晶圓擴片制程中，擴片膠膜在延展之后，擴片膠膜的外側將會使用擴片鐵圈組來保持擴片膠膜的延展狀態。擴片鐵圈組主要是上下兩片框架成一組，運用兩片框架夾緊并固定已延展的擴片膠膜，而成保持擴片膠膜延展狀態的目的。

切割過后的裸晶、擴片膠膜、擴片鐵圈組形成一個工件，準備進入下一個制程。然而，包括擴片鐵圈組的整個工件厚度達到9mm左右，此一厚度將會影響后續制程。在工件進入下個制程前，會被放上晶圓儲放架，而晶圓儲放架的每個儲放間距為10mm；縱使工件能夠被放入晶圓儲放架，但是在后續的制程中，機臺上的機械手臂無法輕易地取放工件。因此，便需要另外準備非標準規格的晶圓儲放架來存放工件。或是不將工件放入晶圓儲放架、直接將其送入下個制程機臺，擴片鐵圈組的厚度也會環形墊高擴片后的裸晶，造成所有的裸晶不在同一個水平面，會影響后續制程。例如，當工件需要經過自動光學辨識(AutomatedOptical Inspection,AOI)機臺時，便需要額外設計治具來支撐工件中不平整的裸晶水平面。

為解決晶圓擴片制程后、擴片鐵圈組所造成的厚度問題，不論是另外準備晶圓儲放架、或是重新設計相關治具，都將不利于生產成本。有鑒于此，有必要提出一種包括在晶圓或是裸晶上貼附膠膜、將其移轉、以及撕除膠膜的方法及裝置；使得本發明透過將晶圓或是裸晶移轉到另一承載膠膜上，以利晶圓擴片后的后續制程。

發明內容

為解決習知技術在晶圓擴片制程后的問題，本發明提供一種基板移轉方法，包括以下步驟：提供一第一工件，所述第一工件包括一基板、貼附于所述基板的一第一表面的一第一膠膜、以及環繞所述基板并且與所述第一膠膜結合的一第一框架；放置所述第一工件于一固定平臺及一升降平臺上，所述升降平臺環繞所述固定平臺設置，對應所述基板的所述第一表面的部分所述第一膠膜位于所述固定平臺上，所述第一框架位于所述升降平臺上；操作所述升降平臺，以調整所述升降平臺與所述固定平臺之間的一高度差，所述第一框架跟隨所述升降平臺升降，使得所述第一膠膜不翹曲；切割對應所述固定平臺與所述升降平臺之間的一間隙的部分所述第一膠膜；取下包括部分所述第一膠膜的所述第一框架；放置一第二框架于所述升降平臺；操作所述升降平臺，以調整所述升降平臺與所述固定平臺之間的所述高度差，所述第二框架跟隨所述升降平臺升降，使得所述第二框架相對所述升降平臺的表面與所述基板相對所述第一表面的一第二表面共平面；以及貼附一第二膠膜于所述基板的所述第二表面及所述第二框架相對所述升降平臺的表面，以形成包括所述基板、部分所述第一膠膜、所述第二膠膜、以及所述第二框架的一第二工件。