[發(fā)明專利]一種去除掩膜版上的孔邊毛刺的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011546472.9 | 申請日: | 2020-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN112631070A | 公開(公告)日: | 2021-04-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 錢超;楊波 | 申請(專利權(quán))人: | 江蘇高光半導(dǎo)體材料有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/68 | 分類號: | G03F1/68;G03F1/72 |
| 代理公司: | 南京行高知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32404 | 代理人: | 肖念 |
| 地址: | 212400 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 去除 掩膜版上 毛刺 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種去除掩膜版上的孔邊毛刺的方法,包括S1,步驟S1,加工盲孔:在掩膜版的對應(yīng)位置加工盲孔;S2,盲孔注蠟:將熔融的熱蠟滴入到盲孔中,靜置冷卻后鏟除盲孔上多余的蠟;S3,步驟S3,表面研磨:將注蠟完成的掩膜版上機整體進(jìn)行打磨,去除盲孔周邊打孔時翹起的毛刺;步驟S4,加熱溶蠟:將打磨好的掩膜版進(jìn)行加熱,用加熱后的溶劑對盲孔進(jìn)行沖洗,本發(fā)明通過在掩膜版上開盲孔,再向盲孔中注蠟的方式,對盲孔進(jìn)行填塞,保證掩模版在研磨前毛刺不翻入到盲孔中,克服現(xiàn)有加工盲孔中容易進(jìn)入雜物的困難,通過加熱以及溶劑沖洗的方式,可在外部研磨結(jié)束后,對盲孔內(nèi)部的蠟進(jìn)行溶解沖洗,實現(xiàn)盲孔內(nèi)部以及周邊的清潔。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及膜版技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種去除掩膜版上的孔邊毛刺的方法。
背景技術(shù)
光掩膜基版是制作微細(xì)光掩膜圖形的理想感光性空白板,通過光刻制版工藝可以獲得所需光掩膜版。掩膜版在加工時需要進(jìn)行打孔,常見的加工工藝均會在孔的頂部留有毛刺凸起,而毛刺會直接影響后續(xù)掩膜版的使用,會使得機器造成更大的誤差,因此一般都需要對其進(jìn)行研磨去毛刺處理,來使得其本身保持光潔,不會受到毛刺等瑕疵的影響。
傳統(tǒng)的研磨工藝會在掩模版表面直接研磨,將毛刺去除,但此種方式會出現(xiàn)一部分毛刺被打磨掉,還會出現(xiàn)部分毛刺會因為研磨而翻入孔內(nèi)部,給接下來的工序造成麻煩。
基于此,本發(fā)明設(shè)計了一種去除掩膜版上的孔邊毛刺的方法,以解決上述問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種去除掩膜版上的孔邊毛刺的方法,以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
一種去除掩膜版上的孔邊毛刺的方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟S1,加工盲孔:在掩膜版的對應(yīng)位置加工盲孔;
步驟S2,盲孔注蠟:將熔融的熱蠟滴入到盲孔中,靜置冷卻后鏟除盲孔上多余的蠟;
步驟S3,表面研磨:將注蠟完成的掩膜版上機整體進(jìn)行打磨,去除盲孔周邊打孔時翹起的毛刺;
步驟S4,加熱溶蠟:將打磨好的掩膜版進(jìn)行加熱,用加熱后的溶劑對盲孔進(jìn)行沖洗。
優(yōu)選的,在步驟S1中,將盲孔中的碎屑用高流速的氣流吹出,清理孔中的碎屑。
優(yōu)選的,在步驟S2中,蠟采用熔點在102℃-115℃的聚乙烯蠟。
優(yōu)選的,在步驟S2中,進(jìn)行鏟除多余的蠟時,蠟留距離掩膜版基版表面高度1-2mm的余量。
優(yōu)選的,在步驟S3中,采用粗磨和精磨分兩次進(jìn)行打磨,打磨采用環(huán)境溫度控制在5℃-15℃之間。
優(yōu)選的,在步驟S4中,掩膜版放入注入甲苯或二甲苯溶劑的加熱皿中,加熱皿放入水浴鍋中進(jìn)行加熱,保持水浴溫度在80℃-90℃,將蠟進(jìn)行溶解。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果是:
本發(fā)明通過在掩膜版上開盲孔,再向盲孔中注蠟的方式,對盲孔進(jìn)行填塞,保證掩模版在研磨前毛刺不翻入到盲孔中,克服現(xiàn)有加工盲孔中容易進(jìn)入雜物的困難,通過加熱以及溶劑沖洗的方式,可在外部研磨結(jié)束后,對盲孔內(nèi)部的蠟進(jìn)行溶解沖洗,實現(xiàn)盲孔內(nèi)部以及周邊的清潔,相比于傳統(tǒng)的直接研磨技術(shù)來說,加工的孔具有更好的質(zhì)量,直接從源頭杜絕了毛刺內(nèi)翻進(jìn)入孔洞的缺陷。
附圖說明
圖1為本發(fā)明一種去除掩膜版上的孔邊毛刺的方法的制作流程圖。
具體實施方式
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備





