[發明專利]一種數據存儲糾錯方法、裝置及電子設備

在審

• 申請號: 202011546073.2
• 申請日: 2020-12-24
• 公開（公告）號: CN112634975A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 麻偉建;郭建平;劉天航
• 申請（專利權）人: 杭州華瀾微電子股份有限公司
• 主分類號: G11C29/18
• 分類號: G11C29/18;G11C16/08;G06F12/0882;G06F12/06;G06F3/06
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 王思超

本發明實施例提供了一種數據存儲糾錯方法、裝置及電子設備，該方法包括：將接收到的待存數據分別保存到第一存儲器和第二存儲器中作為第一數據和第二數據；根據數據映射表為所述待存數據分配存儲地址，將所述第一存儲器中的第一數據依次寫入到第一數據塊的第一數據頁中，并查詢所述第一數據頁的狀態；在查詢得到所述第一數據頁的狀態為錯誤的情況下，將所述第二存儲器中保存的與所述第一數據塊已寫入的第一數據對應的第二數據寫入到第二數據塊，并在所述數據映射表中將所述第一數據塊的地址更新為所述第二數據塊的地址。通過本發明實施例，實現了固態硬盤在進行數據寫入時的糾錯能力，提高了該固態硬盤所存儲的數據的可靠性。

技術領域

本發明涉及數據存儲技術領域，尤其涉及一種數據存儲糾錯方法、裝置及電子設備。

背景技術

當前，NAND閃存技術的發展推動了固態硬盤(Solid State Disk，SSD)產業。SSD的性能不僅取決于NAND閃存的性能，而且在很大程度上收到NAND控制器算法的影響。NAND是一種非易失性存儲設備，最小可讀取單位叫頁(page)，最小可擦除的單位叫塊(block)，一個塊往往由很多頁構成。在塊擦除后，可以對塊內的頁進行寫入操作。寫入操作很慢，比讀取操作慢得多，而擦除操作又比寫入更加慢得多。

現有SSD主要由NAND閃存、用于緩存數據的靜態隨機存取存儲器(Static Random-Access Memory，SRAM)，以及一個主控芯片(SSD Controller)所構成。有時候，還需要斷電保護系統。為了保障整個SSD的寫性能，當主控芯片將從主機獲取的數據發送給NAND內存后，將不同步等待頁編程(NAND PAGE PROGRAM)完畢，主控芯片就會直接返回正確的狀態給主機。即主控芯片并未確定數據是否寫成功，就已經通知主機，數據已經寫成功了。

可見，現有的SSD技術存在著一個致命的問題，在閃存發生了編程失敗(PAGEPROGRAM FAIL)的情況時，那么當前頁以及它的對偶頁(Pair Page)都會造成數據錯誤。并且該頁所屬于塊的其他頁，其數據的正確性也將無法得到保障。從而導致系統丟失數據甚至整個文件系統的損壞，造成無法評估的損失。

發明內容

本發明實施例的目的是提供一種數據存儲糾錯方法、裝置及電子設備，以解決在閃存發生了編程失敗的情況時造成數據錯誤，并且該頁所屬于塊的其他頁，其數據的正確性也將無法得到保障，從而導致系統丟失數據甚至整個文件系統的損壞的問題。

為了解決上述技術問題，本發明實施例是這樣實現的：

第一方面，本發明實施例提供了一種數據存儲糾錯方法，包括：

將接收到的待存數據分別保存到第一存儲器和第二存儲器中作為第一數據和第二數據，所述第一存儲器為靜態隨機存取存儲器，所述第二存儲器為非揮發性的磁性隨機存儲器；

根據數據映射表為所述待存數據分配存儲地址，將所述第一存儲器中的第一數據依次寫入到第一數據塊的第一數據頁中，并查詢所述第一數據頁的狀態；所述存儲地址包括與所述待存數據對應的第一數據塊的地址，以及所述第一數據塊下的第一數據頁的地址；

在查詢得到所述第一數據頁的狀態為錯誤的情況下，將所述第二存儲器中保存的與所述第一數據塊已寫入的第一數據對應的第二數據寫入到第二數據塊，并在所述數據映射表中將所述第一數據塊的地址更新為所述第二數據塊的地址。

第二方面，本發明實施例提供了一種數據存儲糾錯裝置，包括：

數據接收模塊，用于將接收到的待存數據分別保存到第一存儲器和第二存儲器中作為第一數據和第二數據，所述第一存儲器為靜態隨機存取存儲器，所述第二存儲器為非揮發性的磁性隨機存儲器；