[發明專利]一種半導體外延結構及其應用與制造方法在審
| 申請號： | 202011545882.1 | 申請日： | 2020-09-21 |
| 公開（公告）號： | CN112802890A | 公開（公告）日： | 2021-05-14 |
| 發明（設計）人： | 陳衛軍;劉美華 | 申請（專利權）人： | 深圳市晶相技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/20 | 分類號： | H01L29/20;H01L21/02;H01L21/203;H01L21/324;H01L21/335;H01L29/778;H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/16;H01L27/15;C23C14/02;C23C14/06;C23C |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 朱艷 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市坪山*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 外延 結構 及其 應用 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體外延結構，其特征在于，包括：
基板；
低溫氮化鋁層，形成于所述基板上；以及
高溫氮化鎵緩沖層，形成于所述低溫氮化鋁層上。
2.根據權利要求1所述的半導體外延結構，其特征在于：所述低溫氮化鋁層是通過物理氣相沉積方式來形成。
3.根據權利要求1所述的半導體外延結構，其特征在于：所述低溫氮化鋁層包括柱狀晶體結構。
4.根據權利要求1所述的半導體外延結構，其特征在于：所述低溫氮化鋁層的厚度為5～30nm。
5.一種發光二極管結構，其特征在于，包括：權利要求4所述的半導體外延結構。
6.一半導體外延結構的制造方法，其特征在于，包括：
形成低溫氮化鋁層于基板上；以及
形成高溫氮化鎵緩沖層于所述低溫氮化鋁層上；
其中，所述高溫氮化鎵緩沖層的生長溫度是高于所述低溫氮化鋁層的生長溫度。
7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于：所述低溫氮化鋁層的生長溫度為600～1200℃。
8.根據權利要求6所述的方法，其特征在于：所述高溫氮化鎵緩沖層的生長溫度為1050～1100℃。
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