[發明專利]半導體封裝件

在審

• 申請號: 202011545096.1
• 申請日: 2020-12-23
• 公開（公告）號: CN113035824A
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發明（設計）人: 謝政諺;余俊輝;黃炳剛;邱紹玲;王貽樟
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/538;H01L23/31
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

一種半導體封裝件包含第一中介件、第二中介件、第一管芯、第二管芯以及至少一個橋接結構。第一中介件和第二中介件包埋于第一介電密封體。第一管芯安置在第一中介件上方且電連接到第一中介件。第二管芯安置在第二中介件上方且電連接到第二中介件。至少一個橋接結構安置在第一管芯與第二管芯之間。

技術領域

本發明實施例是涉及半導體封裝件及其形成方法。

背景技術

近年來，半導體行業已經由于各種電子器件(例如晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度的持續改進而經歷快速發展。主要來說，最小特征大小的連續減小已經帶來集成密度的改進，這允許將更多器件集成到給定區域中。

這些較小的電子器件也需要比先前封裝件占用更少區域的較小封裝件。有前景的半導體封裝件中的一種為用于針對云計算(cloud computing)、數據中心以及超級計算機應用的先進產品的“襯底上晶片上芯片(chip on wafer on substrate，CoWoS)”結構。盡管現有半導體封裝件對于其預期目的已大體上足夠，但其在所有方面中并不令人完全滿意。

發明內容

根據本公開的一些實施例，一種半導體封裝件包含第一中介件、第二中介件、第一管芯、第二管芯以及至少一個橋接結構。第一中介件和第二中介件包埋于第一介電密封體。第一管芯安置在第一中介件上方且電連接到第一中介件。第二管芯安置在第二中介件上方且電連接到第二中介件。至少一個橋接結構安置在第一管芯與第二管芯之間。

附圖說明

圖1A到圖1S為根據一些實施例的形成半導體封裝件的方法的示意性橫截面圖。

圖2到圖5為根據一些實施例的半導體封裝件的示意性俯視圖。

圖6示出根據一些實施例的形成半導體封裝件的方法。

圖7到圖10為根據一些實施例的各種半導體封裝件的橫截面圖。

圖11為根據其他實施例的半導體封裝件的橫截面圖。

圖12到圖13為根據其他實施例的半導體封裝件的示意性俯視圖。

圖14示出根據其他實施例的形成半導體封裝件的方法。

圖15到圖18為根據其他實施例的各種半導體封裝件的橫截面圖。

具體實施方式

以下公開內容提供用于實施所提供主題的不同特征的許多不同實施例或實例。出于以簡化方式傳達本公開的目的，下文描述組件和布置的具體實例。當然，這些組件和布置僅為實例且并不希望為限制性的。舉例來說，在以下描述中，第二特征在第一特征上方或第一特征上的形成可包含第二特征和第一特征直接接觸地形成的實施例，且還可包含額外特征可在第二特征與第一特征之間形成以使得第二特征和第一特征可不直接接觸的實施例。另外，相同附圖標號和/或字母可用于指本公開的各種實例中的相同或類似部件。附圖標號的重復使用是出于簡化和清楚的目的，且本身并不規定所論述的各種實施例和/或配置之間的關系。

此外，本文中可使用例如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…上”、“在…上方”、“上覆”、“在…之上”、“上部”以及類似術語的空間相對術語來便于描述如圖中所示出的一個元件或特征相對于另一元件或特征的關系。除圖中所描繪的定向以外，空間相對術語希望涵蓋器件在使用或操作中的不同定向。裝置可以其他方式定向(旋轉90度或處于其他定向)，且本文中所使用的空間相對描述詞可同樣相應地進行解釋。

圖1A到圖1R為根據一些實施例的形成半導體封裝件的方法的示意性橫截面圖。應理解，本公開并不受下文所描述的方法限制。可在方法之前、期間和/或之后提供額外操作，且可針對方法的額外實施例而替換或去除下文所描述的操作中的一些。

盡管相對于方法描述圖1A到圖1S，但應了解，圖1A到圖1S中所公開的結構不限于這一方法，而是可單獨作為與方法無關的結構。