[發明專利]制程監測方法及制程監測系統

在審

• 申請號: 202011543541.0
• 申請日: 2020-12-23
• 公開（公告）號: CN114664686A
• 公開（公告）日: 2022-06-24
• 發明（設計）人: 王春陽;劉欣然;朱長立
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L27/108
• 代理公司: 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種制程監測方法，其特征在于，包括：

獲取在刻蝕腔室中執行刻蝕工藝的半導體結構，并基于所述半導體結構，形成相應的測試結構；

獲取所述測試結構理論執行所述刻蝕工藝后的第一理論質量；

將所述測試結構置于所述刻蝕腔室中實際執行所述刻蝕工藝，并獲取所述測試結構實際執行所述刻蝕工藝后的第一剩余質量；

基于所述第一理論質量和所述第一剩余質量，判斷所述刻蝕腔室執行所述刻蝕工藝的刻蝕狀態是否處于正常狀態。

2.根據權利要求1所述的制程監測方法，其特征在于，判斷所述刻蝕腔室執行所述刻蝕工藝的刻蝕狀態是否處于正常狀態，包括以下步驟：

獲取所述第一理論質量和所述第一剩余質量的第一差值；

判斷所述第一差值是否位于第一預設范圍內，若所述第一差值位于所述第一預設范圍內，所述刻蝕狀態為正常狀態。

3.根據權利要求1所述的制程監測方法，其特征在于，將所述測試結構置于所述刻蝕腔室中實際執行所述刻蝕工藝前，還包括：獲取所述測試結構的第一真實質量；

基于所述第一理論質量和所述第一剩余質量，判斷所述刻蝕腔室執行所述刻蝕工藝的刻蝕狀態是否處于正常狀態，包括以下步驟：

獲取所述第一真實質量與所述第一理論質量的第一子差值；

獲取所述第一真實質量與所述第一剩余質量的第二子差值；

基于所述第一子差值和所述第二子差值，判斷所述刻蝕腔室執行所述刻蝕工藝的刻蝕狀態是否處于正常狀態。

4.根據權利要求3所述的制程監測方法，其特征在于，判斷所述刻蝕腔室執行所述刻蝕工藝的刻蝕狀態是否處于正常狀態，包括以下步驟：獲取所述第一子差值和所述第二子差值的第二差值，并判斷所述第二差值是否位于第一預設范圍，若所述第二差值位于所述第一預設范圍，所述刻蝕狀態為正常狀態。

5.根據權利要求2或4所述的制程監測方法，其特征在于，所述第一預設范圍通過所述第一理論質量和所述第一理論質量對應的半導體結構良率獲取。

6.根據權利要求1所述的制程監測方法，其特征在于，還包括：

提供襯底，并獲取所述襯底理論執行所述刻蝕工藝后的第二理論質量；

將所述襯底置于所述刻蝕腔室中實際執行所述刻蝕工藝，并獲取所述襯底實際執行所述刻蝕工藝后的第二剩余質量；

基于所述第二理論質量和所述第二剩余質量，判斷所述刻蝕腔室執行所述刻蝕工藝的副產物生成狀態是否處于正常狀態。

7.根據權利要求6所述的制程監測方法，其特征在于，判斷所述刻蝕腔室執行所述刻蝕工藝的副產物生成狀態是否處于正常狀態，包括以下步驟：

獲取所述第二理論質量和所述第二剩余質量的第三差值；

判斷所述第三差值是否位于第二預設范圍內，若所述第三差值位于所述第二預設范圍內，所述刻蝕工藝的副產物生成狀態為正常狀態。

8.根據權利要求6所述的制程監測方法，其特征在于，將所述襯底置于所述刻蝕腔室中實際執行所述刻蝕工藝前，還包括：獲取所述襯底的第二真實質量；

基于所述第二理論質量和所述第二剩余質量，判斷所述刻蝕腔室執行所述刻蝕工藝的副產物生成狀態是否處于正常狀態，包括以下步驟：

獲取所述第二真實質量與所述第二理論質量的第三子差值；

獲取所述第二真實質量與所述第二剩余質量的第四子差值；

基于所述第三子差值和所述第四子差值，判斷所述刻蝕腔室執行所述刻蝕工藝的副產物生成狀態是否處于正常狀態。

9.根據權利要求8所述的制程監測方法，其特征在于，判斷所述刻蝕工藝的副產物生成狀態是否處于正常狀態，包括以下步驟：獲取所述第三子差值和所述第四子差值的第四差值，并判斷所述第四差值是否位于第二預設范圍，若所述第四差值位于所述第二預設范圍，所述副產物生成狀態為正常狀態。