[發明專利]使用銀燒結制造的直接接合銅襯底

在審

• 申請號: 202011543218.3
• 申請日: 2020-12-24
• 公開（公告）號: CN113140465A
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: E·N·M·托倫蒂諾;S·克里南;F·J·卡爾尼
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/498
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 秦晨

1.一種方法，包括：

將燒結前體材料層施加到陶瓷片的第一表面和第二表面中的每一者；

通過將第一引線框耦接在所述陶瓷片的第一表面上的所述燒結前體材料層上并將第二引線框耦接在所述陶瓷片的第二表面上的所述燒結前體材料層的第二表面上，使得所述陶瓷片被設置在所述第一引線框與所述第二引線框之間，從而組裝直接接合銅(DBC)襯底的前體組件；以及

將所述第一引線框和所述第二引線框燒結接合到所述陶瓷片以形成燒結接合的直接接合銅襯底。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述將所述第一引線框和所述第二引線框燒結接合到所述陶瓷片以形成所述燒結接合的直接接合銅襯底包括：以小于500℃的溫度和小于100MPa的壓力將燒結熱和壓力處理施加到所述前體組件。

3.一種直接接合銅(DBC)襯底，包括：

陶瓷片；

第一引線框，所述第一引線框設置在所述陶瓷片的第一側上；

第二引線框，所述第二引線框設置在所述陶瓷片的第二側上；

以及

所述第一引線框與所述陶瓷片之間的燒結接合部。

4.根據權利要求3所述的直接接合銅襯底，其中所述陶瓷片的表面被金屬化，并且所述第一引線框被設置在所述陶瓷片的經金屬化的表面上。

5.根據權利要求3所述的直接接合銅襯底，其中所述陶瓷片是氧化鋁片、氮化鋁片、氮化硅片或氮化硼片中的至少一者。

6.根據權利要求3所述的直接接合銅襯底，其中所述第一引線框是導電金屬跡線。

7.根據權利要求3所述的直接接合銅襯底，其中所述第二引線框是導電金屬跡線、固體金屬片材、金屬箔或由氮化硼、石墨或碳制成的導電片材中的一者。

8.根據權利要求3所述的直接接合銅襯底，其中所述燒結接合部包括銀基燒結材料、銅基燒結材料、金基燒結材料或它們的組合。

9.根據權利要求3所述的直接接合銅襯底，其中所述第一引線框或所述第二引線框中的至少一者的厚度在約0.05毫米與約3.0毫米之間。

10.根據權利要求3所述的直接接合銅襯底，其中所述第一引線框具有在約0.05毫米與約3.0毫米之間的厚度，并且所述第二引線框具有相異的厚度，在約0.1毫米與約5.0毫米之間。