[發明專利]一種重摻砷極低電阻硅單晶的生長方法

有效

• 申請號: 202011542745.2
• 申請日: 2020-12-23
• 公開（公告）號: CN112779601B
• 公開（公告）日: 2022-08-05
• 發明（設計）人: 李英濤;王萬華;皮小爭;崔彬;吳志強;劉斌
• 申請（專利權）人: 有研半導體硅材料股份公司;山東有研半導體材料有限公司
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B15/00
• 代理公司: 北京北新智誠知識產權代理有限公司 11100
• 代理人: 劉秀青

1.一種重摻砷極低電阻硅單晶的生長方法，采用CZ直拉法，包括抽真空、檢漏、熔料、摻雜、穩定、引晶、放肩、等徑、收尾工序；其特征在于，重摻砷硅單晶電阻率≤3mΩ·cm；在放肩階段采用氬氣吹掃單晶硅肩部表面，在單晶棒周圍設置多個氬氣管道，所述氬氣管道為2~6根，對稱分布在單晶棒周圍；氬氣的吹入方向與單晶棒軸向之間的夾角為20°~25°，所述氬氣管道的出氣口位于水冷體下方100 mm~120 mm處；所述氬氣管道的氬氣流量為5~20slpm；放肩結束后關閉來自氬氣管道的氬氣。

2.根據權利要求1所述的重摻砷極低電阻硅單晶的生長方法，其特征在于，所述氬氣管道的氬氣流量為5~15 slpm。

3.根據權利要求1所述的重摻砷極低電阻硅單晶的生長方法，其特征在于，所述氬氣管道的出氣口距離放肩部位的距離為200-300 mm。